STGP7H60DF
Gate-Emitter Leakage Current ::250 nA
Product Category ::IGBT Transistors
Mounting Style ::Through Hole
Continuous Collector Current at 25 C ::14 A
Pd - Power Dissipation ::88 W
Collector- Emitter Voltage VCEO Max ::600 V
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STGP7H60DF
Carro de la investigación
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