IKW25N120H3FKSA1
Gate-Emitter Leakage Current ::600 nA
Product Category ::IGBT Transistors
Mounting Style ::Through Hole
Continuous Collector Current at 25 C ::50 A
Pd - Power Dissipation ::326 W
Collector- Emitter Voltage VCEO Max ::1200 V
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El IKW25N120H3FKSA1, de Infineon Technologies, es IGBT
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IKW25N120H3FKSA1
Carro de la investigación
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