SIA817EDJ-T1-GE3
Category:Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:Schottky Diode (Isolated)
Vgs(th) (Max) @ Id:1.3V @ 250µA
Operating Temperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case:PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:23 nC @ 10 V
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SIA817EDJ-T1-GE3
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