3 energía baja F3L75R12W1H3_B27 SP001056132 del módulo del inversor de la fase IGBT

F3L75R12W1H3_B27        SP001056132     Infineon   ENERGÍA BAJA del módulo de IGBT FÁCIL

F3L75R12W1H3B27BOMA1

Fabricante: Infineon
Tipo de producto: Módulos de IGBT
Configuración: inversor trifásico
voltaje máximo VCEO del Colector-emisor: 1,2 kilovoltios
voltaje de saturación del Colector-emisor: 1,45 V
Corriente de colector continua en 25 C: 45 A
corriente de la salida del Puerta-emisor: nA 100
disipación del Paladio-poder: 275 W
Paquete/caja: EasyPack1B
Temperatura de trabajo mínima: - 40 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Paquete: Bandeja
Voltaje máximo de la puerta/del emisor: 20 V
Serie: IGBT de alta velocidad H3
Cantidad que embala: 24 PCS
Subcategoría: IGBTs
Tecnología: Si

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