M29W160EB70N6E IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnología de Micron Inc.
Número de modelo:M29W160EB70N6E
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección:
No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Resumen de las actividades
El M29W160E es una memoria no volátil de 16 Mbit (2Mb x8 o 1Mb x16) que se puede leer, borrar y reprogramar.Al encender la memoria por defecto a su modo de lectura donde se puede leer de la misma manera que una ROM o EPROM.Resumen de las características
■ VOLTAJE de alimentaciónVCC = 2.7V a 3.6V para programación, borrado y lectura
■ Tiempos de acceso: 70, 90 s
■ TIEMPO de programación
10μs por byte/Word típico
■ 35 BLOCOS de memoria
1 Bloque de arranque (localización superior o inferior)
2 parámetros y 32 bloques principales
■ CONTROLLER de programación y borrado
Los algoritmos de programación de byte/word incrustados
■ MODOS de borrado, de suspensión y de reanudación
Leer y programar otro bloque durante el borrador Suspender
■ Desbloquear el comando de programa de desvío
¢ Producción más rápida/programación por lotes
■ Modo de protección de bloque temporal
■ Interfaz flash común
Código de seguridad de 64 bits
■ BAJO CONSUMO de energía
En espera y en espera automática
■ 100 000 ciclos de programación/borrado por bloque
■ Firma electrónica
️ Código del fabricante: 0020h
El código del dispositivo superior M29W160ET: 22C4h.
¢ Código del dispositivo inferior M29W160EB: 2249h
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Embalaje alternativo de bandeja |
| Cuadro de paquete | 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm de ancho) |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Envase del producto del proveedor | 48-TSOP |
| Capacidad de memoria | 16M (2M x 8, 1M x 16) |
| Tipo de memoria | FLASH - Ni siquiera |
| Velocidad | 70 años |
| Formatos de memoria | El flash. |
| El Sr. | Tecnología de Micron Inc. |
| Paquete | Envases |
| Estado del producto | No está disponible |
| Tipo de memoria | No volátiles |
| Formato de memoria | El flash. |
| Tecnología | FLASH - Ni siquiera |
| Tamaño de la memoria | 16 Mb (2M x 8 1M x 16) |
| Interfaz de memoria | En paralelo |
| Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página | 70 años |
| Tiempo de acceso | 70 ns |
| Fuente de suministro de tensión | Las partidas de los componentes de las placas de aluminio |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Cuadro de paquete | 48-TFSOP (0.724" 18,40 mm de ancho) |
| Número del producto de base | M29W160 |
Descripciones
Flash - NOR IC de memoria de 16 Mb (2M x 8, 1M x 16) paralelo 70ns
48-TSOP
NOR Flash paralelo 3V/3.3V 16M-bit 2M x 8/1M x 16 70ns bandeja TSOP
de 48 pines
M29W160EB70N6E IC FLASH 16MBIT PARALLEL 48TSOP Tecnología de Micron Inc.
Carro de la investigación
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