FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd. y sus subsidiarias
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Shenzhen China
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No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descripción
Transistor PNP en una envolvente de plástico SOT23.Está destinado principalmente para su uso en amplificadores de banda ancha de RF, como en amplificadores aéreos, sistemas de radar, osciloscopios, analizadores de espectro, etc.El transistor presenta una baja distorsión de intermodulación y una alta ganancia de potencia; debido a su muy alta frecuencia de transición, también tiene excelentes propiedades de banda ancha y bajo ruido hasta altas frecuencias.
Los complementos de NPN son BFR93 y BFR93A.
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Fremont Micro Devices Estados Unidos |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | El tubo |
| Cuadro de paquete | 8 DIP (0,300" y 7,62 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Interfaz | Serial de 3 cables |
| Fuente de suministro de tensión | 1.8 V ~ 5.5 V |
| Envase del producto del proveedor | 8 - DIP |
| Capacidad de memoria | 1K (128 x 8 o 64 x 16) |
| Tipo de memoria | EEPROM |
| Velocidad | 250 kHz, 1 MHz, 2 MHz |
| Formatos de memoria | EEPROM - en serie |
Descripciones
IC de memoria EEPROM 1Kb (128 x 8, 64 x 16) SPI 2MHz 8-DIP
FT93C46A-IDR-B IC EEPROM 1KBIT 3-WIRE 2MHZ 8DIP Fremont Micro Devices Ltd. y sus subsidiarias
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