IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
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Capacidad de suministro:En stock
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Shenzhen China
Dirección:
No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descripción
El ISSIIS41LV16100B es 1,048, 576 x 16 bits de alto rendimiento CMOS Dynamic Random Access Memories. Estos dispositivos ofrecen un acceso de ciclo acelerado llamado EDO Page Mode.024 accesos aleatorios dentro de una sola fila con un tiempo de ciclo de acceso tan corto como 20 ns por palabra de 16 bits.Características
• Entradas y salidas compatibles con TTL; E/S de tres estados• Intervalo de actualización:
Modo de actualización automática: 1,024 ciclos /16 ms
¢ Solo RAS, CAS antes de RAS (CBR) y oculto
• Descripción de la norma JEDEC
• Fuente de alimentación única: 3,3 V ± 10%
• Byte Write y Byte Read operación a través de dos CAS
• Rango de temperatura industrial: -40oC a +85oC
• Disponible sin plomo
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | El ISSI |
| Categoría de productos | Chips de circuito integrado |
| Serie | - |
| Embalaje | El tubo |
| Cuadro de paquete | Los productos de la sección 4 del presente Reglamento se clasifican en el anexo II del Reglamento (CE) n.o 1272/2008 de la Comisión. |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 3 V ~ 3,6 V |
| Envase del producto del proveedor | 42-SOJ |
| Capacidad de memoria | 16M (1M x 16) |
| Tipo de memoria | El número de datos que se requieren para el cálculo de las tarifas |
| Velocidad | 50 ns |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
Memoria DRAM-EDO IC de 16 Mb (1M x 16) paralelo 25ns 42-SOJ
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solución de silicio integrado Inc.
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