DS1220AD-100IND+ IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Analog Devices Inc./Maxim Integrado

Descripción

Las SRAM no volátiles DS1220AB y DS1220AD 16k son SRAMs no volátiles totalmente estáticas de 16,384 bits organizadas en 2048 palabras por 8 bits.Cada SRAM NV tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que supervisa constantemente VCC para detectar una condición fuera de la tolerancia.Cuando se produce tal condición, la fuente de energía de litio se enciende automáticamente y la protección de escritura está activada incondicionalmente para evitar la corrupción de los datos.Las SRAM NV se pueden utilizar en lugar de las SRAM 2k x 8 existentes que se ajustan directamente al estándar DIP de 24 pines de ancho de byte popularLos dispositivos también coinciden con el pin de la EPROM 2716 y la EEPROM 2816, lo que permite la sustitución directa al tiempo que mejora el rendimiento.No hay límite en el número de ciclos de escritura que se pueden ejecutar y no se requieren circuitos de soporte adicionales para la interfaz de microprocesador.

Características

■ 10 años de conservación mínima de los datos en ausencia de energía externa
■ Protección automática de los datos en caso de pérdida de energía
■ Sustituye directamente la RAM estática volátil de 2k x 8 o EEPROM
■ Ciclos de escritura ilimitados
■ CMOS de bajo consumo
■ Paquete DIP de 24 pines estándar de JEDEC
■ Tiempos de acceso de lectura y escritura de 100 ns
■ La fuente de energía de litio se desconecta eléctricamente para mantener la frescura hasta la primera aplicación de energía
■ Rango de funcionamiento completo de VCC ± 10% (DS1220AD)
■ Opcional ± 5% de rango de funcionamiento VCC (DS1220AB)
■ rango opcional de temperaturas industriales de -40°C a +85°C, designado IND