MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.

Número de modelo:MT4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M4204M420
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección: No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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DDR2 SDRAM

MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancos
MT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos

Características

• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V
• E/S de 1.8V de la norma JEDEC (compatible con SSTL_18)
• Opción de estroboscopo de datos diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitectura de preencuesta de 4n bits
• Opción de estroboscopo de salida duplicado (RDQS) para x8
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• latencia de CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Tardor de escritura = Tardor de lectura - 1 tCK
• Longitudes de estallido seleccionables (BL): 4 u 8
• Fuerza de transmisión de datos ajustable
• 64 ms, 8192 ciclos de actualización
• Terminación en el momento de la muerte (ODT)
• Opción de temperatura industrial (TI)
• Opción de temperatura del vehículo (AT)
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Soporta la especificación JEDEC de jitter de reloj

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteTecnología Micron Inc.
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
Embalaje
Cuadro de paqueteLas demás partidas de la partida 84
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 85 °C (TC)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión1.7 V ~ 1.9 V
Envase del producto del proveedorLas partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de alta velocidad de las máquinas de ensayo de alta potencia
Capacidad de memoria256M (16M x 16)
Tipo de memoriaDDR2 SDRAM
Velocidad3.75ns
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR2 de 256 Mb (16M x 16) paralelo a 267 MHz 500ps 84-FBGA (8x14)
China MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc. supplier

MT47H16M16BG-37E:B TR IC SDRAM 256MBIT 266MHZ 84FBGA Micron Technology Inc.

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