MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

Número de modelo:MT5M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 26 Horas
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Detalles del producto

Detalles del producto

SOT23 NPN TRANSISTOR PLANAR de silicio de alto rendimiento


Características

* Baja resistencia de encendido equivalente; RCE (sat) 400mΩ a 1A
* 1 Amp de corriente continua
* Ptot= 500 mW

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteTecnología Micron Inc.
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
EmbalajeBanda cortante (TC)
Cuadro de paqueteLas condiciones de las partidas 1 y 2 se aplicarán a las partidas 2 y 3 del presente anexo.
Temperatura de funcionamiento-30 °C ~ 85 °C (TC)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión1.7 V ~ 1.95 V
Envase del producto del proveedorEl número de unidad de control de la unidad de control de la unidad de control de la unidad
Capacidad de memoria16M (1M x 16)
Tipo de memoriaSe trata de una serie de medidas de control de los riesgos.
Velocidad70 años
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

PSRAM (pseudo SRAM) IC de memoria de 16 Mb (1M x 16) paralelo a 70 ns 54-VFBGA (6x9)
China MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA Tecnología de micrófonos Inc. supplier

MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 54VFBGA Tecnología de micrófonos Inc.

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