CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC Tecnologías Infineon

Número de modelo:CY14B101PA-SFXI
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección: No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Resumen general

El Cypress CY14X101PA combina una nvSRAM de 1 Mbit con un RTC completo en un circuito integrado monolítico con interfaz SPI serie.Los elementos no volátiles incorporados incorporan la tecnología QuantumTrapLa SRAM proporciona ciclos de lectura y escritura infinitos, mientras que las células QuantumTrap proporcionan un almacenamiento de datos no volátil altamente confiable.Las transferencias de datos de la SRAM a los elementos no volátiles (operación STORE) se realizan automáticamente cuando se apaga la energía.. Al encender, los datos se restauran a la SRAM desde la memoria no volátil (operación RECALL). También puede iniciar las operaciones STORE y RECALL a través de la instrucción SPI.

Características

■ Memoria de acceso aleatorio estática no volátil de 1 Mbit (nvSRAM)
¢ Organizado internamente como 128 K × 8
¢ STORE a QuantumTrap elementos no volátiles iniciados automáticamente al apagado (AutoStore) o mediante la instrucción SPI (Software STORE) o pin HSB (Hardware STORE)
¢ RECALL a la SRAM iniciado al encender la memoria (Power Up RECALL) o por la instrucción SPI (Software RECALL)
¢ STOORE automático con un pequeño condensador apagado
■ Alta fiabilidad
- Ciclos de lectura, escritura y RECALL infinitos
1 millón de ciclos de almacenamiento para QuantumTrap
¢ Conservación de los datos: 20 años a 85 °C
■ Reloj en tiempo real (RTC)
¢ RTC con todas las funciones
El tiempo de un perro de guardia
- Alarma de reloj con interrupciones programables
Indicación de fallo de energía de respaldo
️ Salida de onda cuadrada con frecuencia programable (1 Hz, 512 Hz, 4096 Hz, 32.768 kHz)
¢ Capacitor o batería de respaldo para RTC
️ Corriente de respaldo de 0,45 μA (típica)
■ 40 MHz y 104 MHz Interfaz periférica serie de alta velocidad (SPI)
Rate de reloj de 40 MHz SPI escribir y leer con cero retraso del ciclo
Rate de reloj de 104 MHz SPI escribir y leer (con instrucciones especiales de lectura rápida)
Apoya el modo SPI 0 (0, 0) y el modo 3 (1, 1)
■ acceso de los SPI a las funciones especiales
¢ Almacenamiento no volátil/Recuerdo
Número de serie de 8 bits
Identificación del fabricante y del producto
Modo de reposo
■ Protección de escritura
Protección del hardware mediante pin de protección por escritura (WP)
Protección del software mediante la instrucción Write Disable
Protección de bloques de software para 1/4, 1/2 o toda la matriz
■ Bajo consumo energético
¢ Corriente activa media de 3 mA en funcionamiento a 40 MHz
¢ Corriente media en modo de espera de 250 μA
️ Corriente en modo de reposo de 8 μA
■ Configuraciones estándar de la industria
Válvulas de funcionamiento:
• CY14C101PA: VCC = 2,4 V a 2,6 V
• CY14B101PA: VCC = de 2,7 V a 3,6 V
• CY14E101PA: VCC = 4,5 V a 5,5 V
Temperatura industrial
¢ paquete de circuitos integrados de contorno pequeño (SOIC) de 16 pines
¢ Restricción de sustancias peligrosas (RoHS)

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteCypress Semiconductor Corp.
Categoría de productosLas demás
El Sr.Cypress Semiconductor Corp.
Serie-
PaqueteEl tubo
Estado del productoActividad
Tipo de memoriaNo volátiles
Formato de memoriaLa NVSRAM
TecnologíaLas medidas de seguridad y de protección previstas en el presente Reglamento se aplicarán a las instalaciones de seguridad y de protección de los vehículos.
Tamaño de la memoria1 MB (128K x 8)
Interfaz de memoriaEl SPI
Frecuencia del reloj40 MHz
Escribe-Ciclo-Tiempo-Word-Página-
Fuente de suministro de tensiónLas partidas de los componentes de las placas de aluminio
Temperatura de funcionamiento-40 °C ~ 85 °C (TA)
Tipo de montajeMontura de la superficie
Cuadro de paquete16 SOIC (0,295" 7,50 mm de ancho)
Envase del producto del proveedor16-SOIC
Número del producto de baseCY14B101

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricanteDescripciónFabricanteComparar
CY14C101Q3A-SF104XI: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre la calidad de los productos y de los productos.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión interna de las que se trate se calculará en función de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión interna de las que se trate.
CY14B101PA-SF104XIT: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre la calidad de los productos y de los productos.El ciprés semiconductorEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
CY14B101Q3-SFXI
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre la calidad de los productos y de los productos.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero de las emisiones de gases de efecto invernadero.
CY14B101Q3-SFXIT y sus componentes
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre la calidad de los productos y de los productos.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna de las instalaciones de combustión interna
CY14B101PA-SFXIT: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.
Memoria
Se trata de una serie de sistemas de almacenamiento de datos que se encuentran en el ámbito de aplicación de la Directiva 2008/57/CE, de conformidad con la Directiva 2008/57/CE.El ciprés semiconductorEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
CY14B101P-SFXI
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre la calidad de los productos y de los productos.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión renovable se calculará en función de las emisiones de CO2 de las instalaciones de combustión renovable.
Los requisitos de seguridad de los sistemas de seguridad de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad de los sistemas de seguridad.
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre la calidad de los productos y de los productos.El ciprés semiconductorEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Los datos de las pruebas de seguridad de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo de los equipos de ensayo.
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre la calidad de los productos y de los productos.El ciprés semiconductorEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
CY14B101I-SFXI, incluidos los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes de los componentes
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre la calidad de los productos y de los productos.El ciprés semiconductorEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
CY14B101I-SFXIT: el número de unidades de producción y el número de unidades de producción.
Memoria
Se utilizará para la obtención de datos sobre la calidad de los productos y de los productos.El ciprés semiconductorEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.

Descripciones

NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 16-SOIC
NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3.3V 16 pines de tubo SOIC
NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
China CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC Tecnologías Infineon supplier

CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC Tecnologías Infineon

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