MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
Número de modelo:MT40A1G4RH-083E: B
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Shenzhen China
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No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descripción
Estos amortiguadores de voltaje transitorio de 1500 vatios ofrecen capacidades de manejo de potencia que solo se encuentran en paquetes más grandes.Se utilizan con mayor frecuencia para proteger contra los transitorios de entornos de conmutación inductiva o efectos secundarios de rayos inducidos, como se encuentra en los niveles de sobretensiones más bajos de IEC61000-4-5Con tiempos de respuesta muy rápidos, también son eficaces en la protección contra el ESD o EFT.Las características del paquete Powermite® incluyen un fondo totalmente metálico que elimina la posibilidad de atrapamiento del flujo de soldadura durante el montajeTambién proporcionan una ficha de bloqueo única que actúa como un disipador de calor integral.la inductancia parasitaria se reduce al mínimo para reducir los excesos de voltaje durante los transitorios de tiempo de subida rápida.Características
• Envase de montaje de superficie de perfil muy bajo (1.1 mm)• Tablas integradas de bloqueo del disipador de calor
• Compatible con el equipo de inserción automática
• El fondo totalmente metálico elimina el atrapamiento del flujo
• Rango de tensión de 5 a 170 voltios
• Disponible tanto en unidireccional como en bidireccional (sufijo C para bidireccional)
Calificaciones máximas
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C• Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C
• 1500 Watt de potencia de pulso máximo (10 / 1000 μsec)
• Corriente de sobretensiones hacia adelante: 200 Amperios a 8,3 ms (excluyendo bidireccional)
• Tasa de aumento de las repeticiones (factor de trabajo): 0,01%
• Resistencia térmica: conexión de 2,5°C/watt a tab 130°C/watt a ambiente con huella recomendada
• Temperatura de plomo y montaje: 260°C durante 10 segundos
Aplicaciones / beneficios
• Protección temporal por rayos secundarios• Protección de transición de conmutación inductiva
• Pequeña huella
• Inductividad parasitaria muy baja para un mínimo de sobrecarga de voltaje
• Cumple con las normas IEC61000-4-2 y IEC61000-4-4 para la protección ESD y EFT respectivamente y con las normas IEC61000-4-5 para los niveles de sobretensiones definidos en el presente documento
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Envases |
| Cuadro de paquete | Las partidas siguientes se aplicarán: |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 95 °C (TC) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 1.14 V ~ 1.26 V |
| Envase del producto del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de los equipos de ensamblaje y de los equipos de ensamblaje de las máquinas de ensamblaje. |
| Capacidad de memoria | 4G (1G x 4) |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM |
| Velocidad | 18 años |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria DDR4 4Gb (1G x 4) paralelo a 1,2 GHz 78-FBGA
(9x10.5)
Chip DRAM DDR4 SDRAM 4Gbit 1Gx4 1.2V 78 pin FBGA
MT40A1G4RH-083E:B IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 78FBGA Micron Technology Inc.
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