MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se utiliza para la obtención de datos de las máquinas y equipos.
Número de modelo:MT46V16M16CY-5B LAS TIC: M
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Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
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No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descripción general
La DDR333 SDRAM es una memoria CMOS de acceso aleatorio dinámico de alta velocidad que opera a una frecuencia de 167 MHz (tCK=6ns) con una velocidad máxima de transferencia de datos de 333Mb/s/p.DDR333 continúa utilizando la interfaz estándar JEDEC SSTL_2 y la arquitectura 2n-prefetch.Características
• Reloj de 167 MHz, velocidad de datos de 333 Mb/s/p•VDD= +2,5 V ±0,2 V, VDDQ = +2,5 V ±0,2 V
• Estroboscopo bidireccional de datos (DQS) transmitido/recibido con datos, es decir, captura de datos sincronizada con la fuente (x16 tiene dos - uno por byte)
• Arquitectura interna de doble velocidad de datos (DDR); dos accesos de datos por ciclo de reloj
• Entradas de reloj diferencial (CK y CK#)
• Los comandos introducidos en cada borde positivo CK
• DQS alineado en el borde con los datos de READ; centro alineado con los datos de WRITE
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• Cuatro bancos internos para el funcionamiento simultáneo
• Máscara de datos (DM) para enmascarar datos de escritura (x16 tiene dos - uno por byte)
• Largomas de estallido programables: 2, 4 u 8
• Opción de recarga automática simultánea soportada
• Modos de actualización automática y auto-actualización
• Paquete de FBGA disponible
• Entrada/salida de 2,5 V (compatible con SSTL_2)
• bloqueo del tRAS (tRAP = tRCD)
• Compatible con DDR200 y DDR266 hacia atrás
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Embalaje alternativo de bandeja |
| Cuadro de paquete | 60 - TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 2.5 V ~ 2.7 V |
| Envase del producto del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de la categoría M2 |
| Capacidad de memoria | 256M (16M x 16) |
| Tipo de memoria | DDR SDRAM |
| Velocidad | 5 años |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria DDR de 256 Mb (16M x 16) paralelo a 200 MHz
700ps 60-FBGA (8x12.5)
Chip DRAM DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 2.6V 60 pin FBGA
MT46V16M16CY-5B IT:M IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se utiliza para la obtención de datos de las máquinas y equipos.
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