MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en datos digitales, que incluye la información de los datos de los usuarios y de las empresas.
Número de modelo:MT4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4M4
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
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No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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DDR2 SDRAM
MT47H256M4 ¢ 32 Meg x 4 x 8 bancosMT47H128M8 16 Meg x 8 x 8 bancos
MT47H64M16 8 Meg x 16 x 8 bancos
Características
• VDD = 1,8 V ± 0,1 V, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V• E/S de 1.8V de la norma JEDEC (compatible con SSTL_18)
• Opción de estroboscopo de datos diferencial (DQS, DQS#)
• Arquitectura de preencuesta de 4n bits
• Opción de estroboscopo de salida duplicado (RDQS) para x8
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• 8 bancos internos para operaciones simultáneas
• latencia de CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Tardor de escritura = Tardor de lectura - 1 tCK
• Longitudes de estallido seleccionables (BL): 4 u 8
• Fuerza de transmisión de datos ajustable
• 64 ms, 8192 ciclos de actualización
• Terminación en el momento de la muerte (ODT)
• Opción de temperatura industrial (TI)
• Opción de temperatura del vehículo (AT)
• Cumplimiento de la Directiva RoHS
• Soporta la especificación JEDEC de jitter de reloj
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Envases |
| Cuadro de paquete | 60 - TFBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 85 °C (TC) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Envase del producto del proveedor | Las partidas de los componentes de las máquinas de ensayo de la categoría M2 |
| Capacidad de memoria | 512M (128Mx4) |
| Tipo de memoria | DDR2 SDRAM |
| Velocidad | 2.5ns |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria DDR2 de 512 Mb (128 M x 4) paralelo a 400 MHz
400ps 60-FBGA (8x10)
Chip DRAM DDR2 SDRAM 512Mbit 128Mx4 1.8V 60 pin FBGA
MT47H128M4CF-25E:G IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA Micron Technology Inc. Se trata de un sistema de almacenamiento de datos basado en datos digitales, que incluye la información de los datos de los usuarios y de las empresas.
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