MR2A16ACYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 Everspin Technologies Inc. y sus subsidiarios también están involucrados.

Número de modelo:MR2A16ACYS35

Cantidad mínima de pedido:1

Condiciones de pago:T/T

Capacidad de suministro:En stock

Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles

Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón

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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Shenzhen China

Dirección: No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China

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Introducción

Funcionalidad prevista
El diseño de referencia del monitor de presión arterial (BPM) muestra cómo implementar un sistema que pueda medir los valores de presión arterial.y funciones de conectividad, así como la capacidad de interfaz con un usuario.

Beneficios de la solución
Los elementos de diseño de referencia de BPM pueden ser referenciados para su desarrollo posterior como:
• Comunicación USB mediante el MC9S08JM60 como puente
• Comunicación a 2,4 GHz mediante el transceptor ZigBee MC13202
• Las comunicaciones MRAM
• Uso de la memoria RAM para almacenar datos de los usuarios
• El controlador de MRAM para acceder a la memoria MRAM
• Display de usuario con pantalla OLED
• Interfaz de usuario con el sensor de proximidad MPR083
• Reacción de audio mediante dos módulos de modulador de ancho de pulso (TPM) de temporizador

Especificaciones

Atributo	Valor del atributo
Fabricante	- ¿Qué es eso?
Categoría de productos	Interfaces de memoria
Serie	Se aplicará el procedimiento siguiente:
Embalaje	Embalaje alternativo de bandeja
Estilo de montaje	DSM/SMT
Cuadro de paquete	44-TSOP (0,400", 10,16 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento	-40 °C ~ 85 °C (TA)
Interfaz	En paralelo
Fuente de suministro de tensión	3 V ~ 3,6 V
Envase del producto del proveedor	Los requisitos de seguridad de los sistemas de control de velocidad se aplicarán a los sistemas de control de velocidad.
Capacidad de memoria	4M (256K x 16)
Tipo de memoria	Unidad de control de velocidad
Velocidad	Las demás
Tiempo de acceso	35 ns
Formatos de memoria	Memoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento	+ 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento	- 40 ° C.
Corriente de suministro de funcionamiento	105 mA
Tipo de interfaz	En paralelo
Organizaciones	256 k x 16
Ancho del bus de datos	16 bits
Válvula de alimentación	3.6 V
Válvula de alimentación	3 V
Cuadro de paquete	El TSOP-44

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricante	Descripción	Fabricante	Comparar
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria	Circuito de memoria, 256KX16, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, con el fin de garantizar la compatibilidad de los dispositivos con el sistema operativo.	Tecnologías Everspin	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria	Circuito de memoria, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme con el Reglamento (CE) n.o 852/2004, con el fin de garantizar la compatibilidad de los sistemas de almacenamiento de datos con el sistema operativo.	Tecnologías Everspin	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria	Circuito de memoria, 256KX16, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, con el fin de garantizar la compatibilidad de los dispositivos con el sistema operativo.	Tecnologías Everspin	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de una serie de medidas de seguridad. Memoria	Circuito de memoria, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme con el Reglamento (CE) n.o 852/2004, con el fin de garantizar la compatibilidad de los sistemas de almacenamiento de datos con el sistema operativo.	Tecnologías Everspin	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria	Circuito de memoria, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme con el Reglamento (CE) n.o 852/2004, con el fin de garantizar la compatibilidad de los sistemas de almacenamiento de datos con el sistema operativo.	Tecnologías Everspin	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento de ensayo. Memoria	Circuito de memoria, 256KX16, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, con el fin de garantizar la compatibilidad de los dispositivos con el sistema operativo.	Tecnologías Everspin	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento de ensayo. Memoria	Circuito de memoria, 256KX16, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, con el fin de garantizar la compatibilidad de los dispositivos con el sistema operativo.	Tecnologías Everspin	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria	Circuito de memoria, 256KX16, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme con el Reglamento (CE) n.o 765/2008, con el fin de garantizar la compatibilidad de los dispositivos con el sistema operativo.	Tecnologías Everspin	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. Memoria	Circuito de memoria, 128KX16, CMOS, PDSO44, 0,400 INCH, conforme con el Reglamento (CE) n.o 852/2004, con el fin de garantizar la compatibilidad de los sistemas de almacenamiento de datos con el sistema operativo.	Tecnologías Everspin	El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Descripciones

MRAM (RAM magnetoresistiva) Memoria IC de 4 Mb (256K x 16) paralelo 35ns 44-TSOP2

MRAM 4Mbit paralelo 3.3V de 44 pines en la bandeja TSOP-II

NVRAM 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 MRAM paralela

MR2A16ACYS35 IC RAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2 Everspin Technologies Inc. y sus subsidiarios también están involucrados.

Carro de la investigación 0

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