MT49H16M18SJ-25:B TR IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de telecomunicaciones con sede en el Reino Unido.

Descripción general

The Micron® 256Mb Reduced Latency DRAM (RLDRAM) contains 8 banks x32Mb of memory accessible with 32-bit or 16-bit I/Os in a double data rate (DDR) format where the data is provided and synchronized with a differential echo clock signal. La RLDRAM no requiere multiplexación de direcciones de fila/columna y está optimizada para un acceso aleatorio rápido y un ancho de banda de alta velocidad.
La RLDRAM está diseñada para almacenamiento de datos de comunicación como buffers de transmisión o recepción en sistemas de telecomunicaciones, así como aplicaciones de caché de datos o instrucciones que requieren grandes cantidades de memoria.

Características

• 2.5V VEXT, 1.8V VDD, 1.8V VDDQ de entrada y salida
• Dirección de banco cíclica para el ancho de banda máximo de salida de datos
• Direcciones no multiplexadas
• Explosión secuencial no interruptible de dos (2 bits)
prefetch) y cuatro (4-bit prefetch) DDR
• Objetivo de velocidad de datos de 600 Mbps
• Latencia de lectura programable (RL) de 5 a 8
• Se activa la señal válida de datos (DVLD) cuando los datos de lectura están disponibles
• Las señales de la máscara de datos (DM0/DM1) se enmascaran primero y
segunda parte de la explosión de datos de escritura
• Escaneo de límites JTAG conforme a la norma IEEE 1149.1
• Seudo-HSTL 1.8V de alimentación de entrada y salida
• Precarga automática interna
• Requisitos de actualización: 32 ms a 100 °C
temperatura (8K para cada banco, 64K para el resto)
La orden debe emitirse en total cada 32 ms)