W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electrónica
Número de modelo:W29N01HVSINA
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección:
No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descripción general
El W29C040 es una memoria flash de 4 megabits y 5 voltios de modo CMOS organizada como 512K ́8 bits.No se requiere un VPP de 12 voltios.La arquitectura única de la célula del W29C040 da como resultado operaciones de escritura (borrado/programa) rápidas con un consumo de corriente extremadamente bajo (en comparación con otros productos de memoria flash de 5 voltios comparables).) El dispositivo también se puede borrar y programar mediante programas EPROM estándar.Características
· Operaciones únicas de escritura (borrado y programación) de 5 voltios· Operaciones de escritura de páginas rápidas
- 256 bytes por página
- Ciclo de escritura de páginas (borrado/programa): 5 ms (típico)
- Tiempo de ciclo efectivo de byte-escritura (borrado/programa): 19,5 ms
- Opcional de escritura de datos protegidos por software
· Operación de borrado rápido de chips: 50 ms
· Dos bloques de arranque de 16 KB con bloqueo
· Ciclos de escritura de páginas (borrado/programa): 50K (típico)
· Tiempo de acceso de lectura: 70/90/120 nS
· Retención de los datos durante diez años
· Protección de datos de software y hardware
· Bajo consumo energético
- Corriente activa: 25 mA (tipo)
- Corriente de espera: 20 mA (típico)
·Tiempo de escritura (borrado/programa) automático con generación interna de VPP
· Detección del final de la escritura (borrado/programa)
- Un poco de cambio
- Encuestas de datos
· Dirección y datos bloqueados
· Todas las entradas y salidas son directamente compatibles con TTL
· Pinouts de ancho de byte estándar de JEDEC
· Paquetes disponibles: DIP de 32 pines y 600 mil, TSOP y PLCC
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Productos electrónicos Winbond |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Envases |
| Cuadro de paquete | 48-TFSOP (0,488", 12,40 mm de ancho) |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Envase del producto del proveedor | Las condiciones de las condiciones de producción se determinarán en el anexo IV. |
| Capacidad de memoria | 1G (128M x 8) |
| Tipo de memoria | El número de unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga de las unidades de carga |
| Velocidad | 25 días |
| Formatos de memoria | El flash. |
Descripciones
FLASH - NAND (SLC) IC de memoria 1Gb (128M x 8) paralelo 25ns
48-TSOP (18.4x12)
NAND Flash 3V/3.3V 1G-bit 128M x 8 48-pin TSOP-I
W29N01HVSINA IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP Winbond Electrónica
Carro de la investigación
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