DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Dispositivos analógicos Inc./Maxim Integrado

Número de modelo:DS1225AD-200+
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 26 Horas
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Descripción

El DS1225AB y el DS1225AD son 65,536 bits, totalmente estáticos, SRAM no volátiles organizados como 8192 palabras por 8 bits.Cada SRAM NV tiene una fuente de energía de litio autónoma y un circuito de control que monitoriza constantemente el VCC para una condición fuera de tolerancia..

Características

10 años de conservación mínima de datos en ausencia de energía externa
Los datos se protegen automáticamente durante la pérdida de energía
Sustituye directamente la RAM estática volátil de 8k x 8 o EEPROM
Ciclos de escritura ilimitados
CMOS de bajo consumo
Paquete DIP de 28 pines estándar de JEDEC
Tiempos de acceso de lectura y escritura de hasta 70 ns
La fuente de energía de litio se desconecta eléctricamente para mantener la frescura hasta que se aplica la energía por primera vez
El valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor será el valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor.
El valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor en el momento del ensayo será el valor de las emisiones de CO2 emitidas por el conductor en el momento del ensayo.
Rango de temperatura industrial opcional de -40°C a +85°C, designado IND

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteMaxim integrado
Categoría de productosInterfaces de memoria
SerieSe trata de una serie de medidas de seguridad.
EmbalajeEl tubo
Estilo de montajeA través del agujero
Cuadro de paqueteModulo 28-DIP (0,600" y 15,24 mm)
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 70 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión4.5 V ~ 5.5 V
Envase del producto del proveedor28-EDIP
Capacidad de memoria64K (8K x 8)
Tipo de memoriaLas medidas de seguridad y de protección previstas en el presente Reglamento se aplicarán a las instalaciones de seguridad y de protección de los vehículos.
Velocidad200 nS
Tiempo de acceso200 ns
Formatos de memoriaMemoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento+ 70 C
Rango de temperatura de funcionamiento0 C
Corriente de suministro de funcionamiento75 mA
Tipo de interfazEn paralelo
Organizaciones8 k x 8
Parte-#-AliasSe aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Ancho del bus de datos8 bits
Válvula de alimentación5.5 V
Válvula de alimentación4.5 V
Cuadro de paqueteEl proyecto de ley

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricanteDescripciónFabricanteComparar
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Módulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-28Productos integrados MaximDS1225AD-200+ y DS1225Y-200+
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
El módulo de SRAM no volátil 8KX8, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28Rochester Electronic LLC, también conocido comoEl sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Módulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, 0,720 INCH, DIP-28Productos integrados MaximEl número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad.
Se trata de una serie de medidas de seguridad.
Memoria
Modulo SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0,720 pulgadas, extendido, DIP-28Dallas SemiconductorDS1225AD-200+ frente a DS1225AD-200
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Modulo de SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-28Productos integrados MaximEl sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para determinar el nivel de emisiones de gases de efecto invernadero.
BQ4010MA-200
Memoria
El número de unidades de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga de la unidad de carga.Las acciones de Texas InstrumentsEl número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
En el caso de las empresas de servicios de telecomunicaciones:
Memoria
El módulo de SRAM no volátil 8KX8, 200ns, PDIP28Las acciones de Texas InstrumentsEl valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
El módulo de SRAM no volátil 8KX8, 200ns, PDMA28, 0,720 INCH, DIP-28Rochester Electronic LLC, también conocido comoEl número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
Modulo de SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-28Productos integrados MaximEl número de unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades de seguridad de las unidades
Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISOFIX.
Memoria
Modulo de SRAM no volátil, 8KX8, 200ns, CMOS, PDMA28, 0,720 INCH, conforme con la normativa ROHS, DIP-28Productos integrados MaximEl sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero (DS1225AD-200+) se utiliza para determinar el nivel de emisión de gases de efecto invernadero.

Descripciones

NVSRAM (SRAM no volátil) IC de memoria 64Kb (8K x 8) paralelo 200ns 28-EDIP
NVRAM 64k SRAM no volátil
China DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Dispositivos analógicos Inc./Maxim Integrado supplier

DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Dispositivos analógicos Inc./Maxim Integrado

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