CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Tecnologías Infineon

Número de modelo:CY62146EV30LL-45ZSXI
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección: No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descripción funcional

El CY62146EV30 es una memoria RAM estática CMOS de alto rendimiento organizada como 256K palabras por 16 bits.La corriente activa ultrabaja es ideal para proporcionar más duración de la bateríaTM (MoBL®) en aplicaciones portátiles como teléfonos celularesEl dispositivo también tiene una función de apagado automático que reduce significativamente el consumo de energía en un 80 por ciento cuando las direcciones no están cambiando.

Características

■ Velocidad muy alta: 45 ns
■ Rango de temperaturas
- Industriales: de 40°C a +85°C
- Automotriz-A: -40°C a +85°C
■ Amplio rango de tensión: 2,20 V – 3,60 V
■ Pin compatible con el CY62146DV30
■ Potencia de espera muy baja
¢ Corriente de espera típica: 1 μA
¢ Corriente máxima de espera: 7 μA
■ Potencia activa muy baja
¢ Corriente activa típica: 2 mA a f = 1 MHz
■ Fácil expansión de la memoria con características CE y OE
■ Apagado automático cuando se deselecta
■ CMOS para una velocidad y potencia óptimas
■ Disponible en paquetes VFBGA de 48 bolas y TSOP II de 44 pines sin Pb

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteEl ciprés semiconductor
Categoría de productosInterfaces de memoria
SerieMoBL®
El tipoAsíncrono
EmbalajeEmbalaje alternativo de bandeja
Estilo de montajeDSM/SMT
Nombre comercialMoBL
Cuadro de paquete44-TSOP (0,400", 10,16 mm de ancho)
Temperatura de funcionamiento-40 °C ~ 85 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión2.2 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedor44-TSOP II
Capacidad de memoria4M (256K x 16)
Tipo de memoriaLa memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento
Velocidad45 años
Tasa de datosDEG
Tiempo de acceso45 ns
Formatos de memoriaMemoria RAM
Temperatura máxima de funcionamiento+ 85 C
Rango de temperatura de funcionamiento- 40 ° C.
Tipo de interfazEn paralelo
Organizaciones256 k x 16
Alimentación de corriente máxima20 mA
Válvula de alimentación3.6 V
Válvula de alimentación2.2 V
Cuadro de paqueteEl TSOP-44

Componente compatible funcional

Formulario, paquete, componente funcional compatible

Parte del fabricanteDescripciónFabricanteComparar
El número de unidades de producción será el número de unidades de producción.
Memoria
La memoria RAM estándar, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44 también se utiliza para las memorias de memoria.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El número de unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción.
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, libre de plomo y TSOP2-44El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Los requisitos de seguridad de los vehículos de las categorías A y B se aplicarán a los vehículos de las categorías A y B, y a los vehículos de las categorías A y B.
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, libre de plomo y TSOP2-44El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Los requisitos de seguridad de los vehículos de motor no se aplicarán a los vehículos de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor de motor.
Memoria
La RAM estándar, 256KX16, 45ns, CMOS, PDSO44, libre de plomo y TSOP2-44El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Descripciones

Chip de SRAM sincronizado único 3V 4M-Bit 256K x 16 45ns bandeja TSOP-II de 44 pines
SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM
China CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Tecnologías Infineon supplier

CY62146EV30LL-45ZSXI IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II Tecnologías Infineon

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