6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias
Número de modelo:6116LA25SOG8
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección:
No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Dentro de 26 Horas
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Descripción
El IDT6116SA/LA es una memoria RAM estática de 16.384 bits de alta velocidad organizada como 2K x 8.Características
◆ Acceso de alta velocidad y tiempo de selección de chips
Militar: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (máximo)
️ Industrial: 20/25n (máximo)
¢ Comercial: 15/20/25 días (máximo)
◆ Bajo consumo energético
◆ Batería de respaldo
Voltagem de retención de datos de 2 V (sólo versión LA)
◆ Producido con CMOS avanzado de alto rendimiento
tecnología
◆ El proceso CMOS elimina prácticamente el error de partículas alfa
las tasas
◆ Entrada y salida directamente compatibles con TTL
◆ Funcionamiento estático: no se requieren relojes ni actualizaciones
◆ Disponible en DIP de cerámica de 24 pines, cerámica y plástico de 24 pines delgado
Dip y SOIC de 24 pines
◆ Productos militares que cumplen con el MIL-STD-833, Clase B
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Sistemas de circuitos integrados |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Embalaje alternativo |
| Cuadro de paquete | 24-SOIC (0,295", 7,50 mm de ancho) |
| Temperatura de funcionamiento | 0 °C ~ 70 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Envase del producto del proveedor | 24-SOIC |
| Capacidad de memoria | 16K (2K x 8) |
| Tipo de memoria | La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento |
| Velocidad | 25 días |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
| Parte del fabricante | Descripción | Fabricante | Comparar |
| 6116LA20SOGI Memoria | El objetivo de la presente Directiva es: | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | Se trata de una serie de medidas que se aplican a las empresas que se encuentran en una situación de riesgo. |
| 6116LA20SOG Memoria | El objetivo de la presente Directiva es: | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. |
| Se aplicará a los vehículos de las categorías M1 y M2. Memoria | Se trata de una serie de dispositivos que se utilizan para la obtención de datos y que se utilizan para la obtención de datos. | Corporación Simtek | 6116LA25SOG8 frente a STK22C48-SF25 |
| 6116LA25SOGI Memoria | El objetivo de la presente Directiva es: | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| 6116LA25SOG Memoria | El objetivo de la presente Directiva es: | Tecnología de dispositivos integrados Inc. | El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria | 2KX8 SRAM no volátil, 45ns, PDSO28, 0,350 INCH, plástico, SOIC-28 | Rochester Electronic LLC, también conocido como | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria | 2KX8 SRAM no volátil, 25ns, PDSO28, 0,350 pulgadas, plástico, SOIC-28 | Rochester Electronic LLC, también conocido como | El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar el efecto invernadero de los gases de efecto invernadero. |
| Se aplicará el procedimiento siguiente: Memoria | 2KX8 SRAM no volátil, 45 ns, PDSO28, 0,300 INCH, plástico, SOIC-28 | Rochester Electronic LLC, también conocido como | Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
Descripciones
SRAM - IC de memoria asíncrona de 16Kb (2K x 8) paralelo 25ns
24-SOIC
SRAM 16K sincronizado. 2Kx8 HS, L-Pwr, SRAM
6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC Renesas Electronics America Inc. y sus subsidiarias
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