MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Tecnología de micrófono Inc.
Número de modelo:MT4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M4104M410
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección:
No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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DDR3 SDRAM
2Gb: x4, x8, x16 DDR3 SDRAMCaracterísticas
• VDD= VDDQ= 1,5 V ± 0,075 V• Entrada/salida de empuje/puja de 1,5 V con terminación central
• Estroboscopo bidireccional de datos diferencial
• Arquitectura de preencuesta de 8n bits
• Entradas de reloj diferencial (CK, CK#)
• 8 bancos internos
• Terminación nominal y dinámica (ODT) para las señales de datos, estroboscopo y máscara
• Tardancia de lectura del CAS programable (CL)
• La latencia del aditivo CAS publicada (AL)
• Latencia de escritura de CAS programable (CWL) basada en tCK
• Largura de ráfaga fija (BL) de 8 y corte de ráfaga (BC) de 4 (a través del conjunto de registros de modo [MRS])
• BC4 o BL8 seleccionables en movimiento (OTF)
• Modo de actualización automática
• TC de 0°C a 95°C
- 64 ms, 8192 ciclos de actualización de 0°C a 85°C
32 ms, 8192 ciclos de actualización a 85°C a 95°C
• Temperatura de autorefrescamiento (SRT)
• Escribir el nivel
• Registro multipropósito
• Calibración del controlador de salida
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Envases |
| Cuadro de paquete | Las demás: |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 95 °C (TC) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Envase del producto del proveedor | Las partidas de los componentes de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción de las unidades de producción. |
| Capacidad de memoria | 2G (128M x 16) |
| Tipo de memoria | DDR3 SDRAM |
| Velocidad | 800 MHz |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria DDR3 2Gb (128M x 16) paralelo a 800MHz
13.75ns 96-FBGA (9x14)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.5V 96 pin FBGA
MT41J128M16HA-125 IT:D IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA Tecnología de micrófono Inc.
Carro de la investigación
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