CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios
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Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección:
No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descripción funcional [1]
El CY7C1399B es una memoria RAM estática CMOS 3.3V de alto rendimiento organizada como 32.768 palabras por 8 bits.Características
• Fuente de alimentación única de 3,3 V• Ideal para aplicaciones de memoria caché de bajo voltaje
• Alta velocidad
¢ 10/12/15 años
• Baja potencia activa
¥ 216 mW (máximo)
• Células alfa inmunes 6T de baja potencia
• Envases de plástico para JSO y TSOP
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | El ciprés semiconductor |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Envases |
| Cuadro de paquete | 28-TSSOP (0,465", ancho de 11,80 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 3 V ~ 3,6 V |
| Envase del producto del proveedor | 28-TSOP I |
| Capacidad de memoria | 256K (32K x 8) |
| Tipo de memoria | La memoria de memoria de seguridad de la unidad de almacenamiento de datos de la unidad de almacenamiento |
| Velocidad | 15 días |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
SRAM - Memoria IC asincrónica de 256Kb (32K x 8) paralelo 15ns
28-TSOP I
CY7C1399B-15ZXI IC SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios
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