MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de tecnología de la mano de la mano de la empresa.
Número de modelo:MT416M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección:
No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Detalles del producto
Dispositivos móviles de baja potencia DDR SDRAM
Características
• VDD/VDDQ = 1,70 1,95 V• Estrobo bidireccional de datos por byte de datos (DQS)
• Arquitectura interna de doble velocidad de datos (DDR) en tubería; dos accesos de datos por ciclo de reloj
• Entradas de reloj diferencial (CK y CK#)
• Los comandos introducidos en cada borde positivo CK
• DQS alineado en el borde con los datos de READ; centro alineado con los datos de WRITE
• 4 bancos internos para el funcionamiento simultáneo
• Máscaras de datos (DM) para enmascarar datos de escritura; una máscara por byte
• Largomas de ráfaga programables (BL): 2, 4, 8 o 16
• Se admite la opción de precarga automática simultánea
• Modos de actualización automática y autoactualización
• Entradas compatibles con LVCMOS de 1,8 V
• Autoactualización compensada por la temperatura (TCSR)
• Autoactualización de matriz parcial (PASR)
• Desactivación profunda (DPD)
• Registro de lectura de estado (SRR)
• Fuerza de accionamiento de salida seleccionable (DS)
• Capacidad para detener el reloj
• 64 ms de actualización, 32 ms para la temperatura del automóvil
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Tecnología Micron Inc. |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Embalaje alternativo de cinta y bobina (TR) |
| Cuadro de paquete | 90 VFBGA |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TA) |
| Interfaz | En paralelo |
| Fuente de suministro de tensión | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Envase del producto del proveedor | Las medidas de seguridad se aplicarán a los vehículos de las categorías M1 y M2. |
| Capacidad de memoria | 512M (16M x 32) |
| Tipo de memoria | Dispositivos de almacenamiento de datos |
| Velocidad | 200 MHz |
| Formatos de memoria | Memoria RAM |
Descripciones
SDRAM - IC de memoria LPDDR móvil de 512 Mb (16M x 32) paralelo a
200 MHz 5.0ns 90-VFBGA (8x13)
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR IC DRAM 512MBIT PAR 90VFBGA Micron Technology Inc. Se trata de una empresa de tecnología de la mano de la mano de la empresa.
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