W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electrónica - integratedcircuit-ic

W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electrónica

Número de modelo:W631GG8KB-11
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección: No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descripción general

El W631GG6KB es una memoria DDR3 SDRAM de 1G bits, organizada como 8,388,608 palabras x 8 bancos x 16 bits. Este dispositivo logra velocidades de transferencia de alta velocidad de hasta 1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) para diversas aplicaciones. W631GG6KB se clasifica en los siguientes grados de velocidad: -11,-12 años.El grado de velocidad -11 es compatible con la especificación DDR3-1866 (13-13-13).Los grados de velocidad 12A y 12K cumplen con la especificación DDR3-1600 (11-11-11) (el grado industrial 12I que se garantiza que soporta -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C)Los grados de velocidad -15, 15I, 15A y 15K cumplen con la especificación DDR3-1333 (9-9-9) (el grado industrial de 15I que se garantiza para soportar -40 °C ≤ TCASE ≤ 95 °C).

Características

El valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable de los motores de combustión renovable.
Arquitectura de doble velocidad de datos: dos transferencias de datos por ciclo de reloj
Ocho bancos internos para operaciones simultáneas
Arquitectura de 8 bits de pre-adquisición
¢ Término de latencia del CAS: 6, 7, 8, 9, 10, 11 y 13
Los modos de largura de ráfaga 8 (BL8) y de corte de ráfaga 4 (BC4): fijos a través del registro de modo (MRS) o seleccionables a vuelo (OTF)
¢ Ordenamiento programable de lectura: secuencial entrelazado o mordisqueado
Se transmiten/reciben datos con estrobos de datos bidireccionales y diferenciales (DQS y DQS#)
¢ Alineado en el borde con datos de lectura y alineado en el centro con datos de escritura
DLL alinea las transiciones DQ y DQS con el reloj
Input de reloj diferencial (CK y CK#)
Los comandos introducidos en cada borde CK positivo, datos y máscara de datos se refieren a ambos bordes de un par de estroboscopo de datos diferencial (dupla velocidad de datos)
¢ CAS publicado con latencia aditiva programable (AL = 0, CL - 1 y CL - 2) para mejorar la eficiencia del bus de comando, dirección y datos
¢ Tardor de lectura = Tardor aditivo más Tardor de CAS (RL = AL + CL)
¢ Función de precarga automática para ráfagas de lectura y escritura
️ Actualización, autoactualización, autoactualización automática (ASR) y autoactualización parcial de la matriz (PASR)

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteProductos electrónicos Winbond
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
EmbalajeEmbalaje alternativo de bandeja
Cuadro de paqueteLas partidas siguientes se aplicarán:
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 95 °C (TC)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión1.425 V ~ 1.575 V
Envase del producto del proveedorSe trata de un sistema de transmisión por cable de alta velocidad.
Capacidad de memoria1G (128M x 8)
Tipo de memoriaDDR3 SDRAM
Velocidad933 MHz
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR3 1Gb (128M x 8) paralelo a 933MHz 20ns 78-WBGA (10.5x8)
Chip DRAM DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78 pin WBGA
China W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electrónica supplier

W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Winbond Electrónica

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