AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Alemania GmbH
Número de modelo:AT25DF021A-SSHN-T
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección:
No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descripción
The AT25DF021 is a serial interface Flash memory device designed for use in a wide variety of high-volume consumer based applications in which program code is shad owed from Flash memory into embedded or external RAM for executionLa arquitectura de borrado flexible del AT25DF021, con su granularidad de borrado tan pequeña como 4 Kbytes, lo hace ideal para el almacenamiento de datos también, eliminando la necesidad de almacenamiento de datos adicionalesDispositivos EEPROM.
Características
• Fuente de alimentación única de 2,3 V - 3,6 V o 2,7 V - 3,6 V• Interfaz periférica en serie (SPI) compatible
Apoya los modos SPI 0 y 3
• Frecuencia máxima de funcionamiento de 66 MHz
¢ Reloj a salida (tV) de 6 ns Máximo
• Arquitectura de borrado flexible y optimizada para aplicaciones de almacenamiento de código y datos
️ Borrado de bloque de 4 Kbyte uniforme
Borrado de bloque de 32 Kbits uniforme
Borrado de bloques de 64 Kbits
Borrar todo el chip
• Protección de sectores individuales con función global Protect/Unprotect
Cuatro sectores de 64 Kbytes cada uno
• Bloqueo controlado por hardware de los sectores protegidos a través de WP Pin
• Registro de seguridad OTP programable de 128 bytes
• Programación flexible
Programa de byte/página (1 a 256 bytes)
• Tiempos rápidos de programación y borrado
Tiempo de programación de páginas típicas (256 bytes)
Tiempo típico de borrado de bloques de 4 Kbyte
Tiempo típico de borrado de bloques de 32 Kbyte
Tiempo típico de borrado de bloques de 64 Kbyte
• Verificación y notificación automáticas de errores de borrado o de programación
• Método de lectura del fabricante y el ID de dispositivo estándar JEDEC
• Baja disipación de energía
¢ 7 mA de corriente de lectura activa (típico a 20 MHz)
¢ 15 μA Corriente baja de potencia profunda (típica)
• Durabilidad: 100.000 ciclos de programación/borrado
• Conservación de los datos: 20 años
• Cumple con el rango de temperatura industrial completo
• Opciones de paquetes de productos ecológicos estándar de la industria (sin Pb/haladinos/compatibles con RoHS)
¢ SOIC de 8 plomo (150 millas de ancho)
Especificaciones
| Atributo | Valor del atributo |
|---|---|
| Fabricante | Tecnologías Adesto |
| Categoría de productos | Interfaces de memoria |
| Serie | - |
| Embalaje | Embalaje alternativo |
| Cuadro de paquete | 8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho) |
| Temperatura de funcionamiento | -40 °C ~ 85 °C (TC) |
| Interfaz | Serial del SPI |
| Fuente de suministro de tensión | 1.65 V ~ 3.6 V |
| Envase del producto del proveedor | 8-SOIC |
| Capacidad de memoria | 2M (256K x 8) |
| Tipo de memoria | El flash. |
| Velocidad | 104 MHz |
| Formatos de memoria | El flash. |
Descripciones
Memoria flash IC de 2 Mb (256K x 8) SPI 104MHz 8-SOIC
2-Mbit, 1,65V Memoria Flash Serial SPI mínima con soporte para
doble E/S
Memoria flash 8-SOIC-N, IND TEMP, 1,65 V, T&R
AT25DF021A-SSHN-T IC FLASH 2MBIT SPI 104MHZ 8SOIC Renesas Design Alemania GmbH
Carro de la investigación
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