MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Tecnología de micrófonos Inc.

Número de modelo:MT420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M420M42
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
Contacta

Add to Cart

Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 26 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Detalles del producto


Descripción funcional

La DDR SDRAM utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento de alta velocidad.La arquitectura de doble velocidad de datos es esencialmente una arquitectura de 2n prefetch con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Un acceso único de lectura o escritura para la DDR SDRAM consiste efectivamente en una única transferencia de datos de un ciclo de un reloj de 2 n bits de ancho en el núcleo interno de la DRAM y dos correspondientes de n bits de ancho,transferencias de datos de un ciclo de media hora en los pines de E/S.

Características

• VDD = +2,5 V ±0,2 V, VDDQ = +2,5 V ±0,2 V
• VDD = +2,6V ±0,1V, VDDQ = +2,6V ±0,1V (DDR400)
• Transmisión bidireccional de datos por estroboscopo (DQS)
Recibido con datos, es decir, datos sincronizados con la fuente
captura (x16 tiene dos uno por byte)
• Tasa de doble transmisión de datos interna (DDR)
arquitectura; dos accesos a datos por ciclo de reloj
• Entradas de reloj diferencial (CK y CK#)
• Los comandos introducidos en cada borde positivo CK
• DQS alineado en el borde con datos para READ; alineado en el centro con datos para WRITE
• DLL para alinear las transiciones DQ y DQS con CK
• Cuatro bancos internos para el funcionamiento simultáneo
• Máscara de datos (DM) para enmascarar datos de escritura
(x16 tiene dos uno por byte)
• Largomas de estallido programables: 2, 4 u 8
• Actualización automática
¢ 64 ms, 8192 ciclos (comerciales e industriales)
- 16 ms, 8192 ciclos (automóviles)
• Actualización automática (no disponible en los dispositivos AT)
• TEP de mayor duración para mejorar la fiabilidad (OCPL)
• Entrada/salida de 2,5 V (compatible con SSTL_2)
• Se admite la opción de precarga automática simultánea
• bloqueo de tRAS con soporte (tRAP = tRCD)

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteTecnología Micron Inc.
Categoría de productosInterfaces de memoria
Serie-
EmbalajeEmbalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete66-TSSOP (0,400", ancho de 10,16 mm)
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 70 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión2.5 V ~ 2.7 V
Envase del producto del proveedorEl número de datos de la empresa
Capacidad de memoria512M (32M x 16)
Tipo de memoriaDDR SDRAM
Velocidad5 años
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

SDRAM - IC de memoria DDR de 512 Mb (32 M x 16) paralelo a 200 MHz 700ps 66-TSOP
El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero se calcula en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
China MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Tecnología de micrófonos Inc. supplier

MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP Tecnología de micrófonos Inc.

Carro de la investigación 0