S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologías Infineon

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Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:En stock
Tiempo de entrega:3 a 5 días hábiles
Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección: No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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GL-S MirrorBit® EclipseTM Flash Familia de memoria no volátil

S29GL01GS 1 Gbit (128 Mbyte)
S29GL512S 512 Mbit (64 Mbyte)
S29GL256S 256 Mbit (32 Mbyte)
S29GL128S 128 Mbit (16 Mbyte)
CMOS 3.0 Volt Core con entradas y salidas versátiles

Descripción general

El Spansion® S29GL01G/512/256/128S son productos flash MirrorBit Eclipse fabricados con tecnología de proceso de 65 nm.Estos dispositivos ofrecen un tiempo de acceso rápido a la página de hasta 15 ns con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de hasta 90 nsCuentan con un Buffer de escritura que permite programar un máximo de 256 palabras/512 bytes en una sola operación, lo que resulta en un infateficiente más eficaz.
El tiempo de programación de estos dispositivos es mayor que el de los algoritmos de programación estándar, lo que los hace ideales para las aplicaciones integradas actuales que requieren una mayor densidad, un mejor rendimiento y un menor consumo de energía.

Características distintivas

Tecnología de eclipse MirrorBit de 65 nm
- Fuente única de alimentación (VCC) para lectura / programación / borrado (2,7V a 3,6V)
¢File de E/S versátil
¢ Amplio rango de tensión de entrada/salida (VIO): 1,65V a VCC
Bus de datos x16
¢ Lectura asíncrona de página de 32 bytes
Buffer de programación de 512 bytes
Programación en múltiples de página, hasta un máximo de 512 bytes
¢Un programa de una sola palabra y varios programas con la misma palabra
Sector borrado
Sectores uniformes de 128 kbyte
Suspender y reanudar los comandos para las operaciones de programación y borrado
¢Registro de estado, encuesta de datos y métodos de pin listo/ocupado para determinar el estado del dispositivo
¢Protección sectorial avanzada (PSA)
¢ Métodos de protección volátiles y no volátiles para cada sector
Separación de 1024 bytes de un programa de tiempo (OTP) con dos regiones bloqueables
¢Tabla de parámetros de la interfaz flash común (CFI)
“Rango de temperatura
️ Industriales (de -40°C a +85°C)
En el interior de la cabina (de -40°C a +105°C)
¥100.000 ciclos de borrado para cualquier sector típico
¢ 20 años de conservación de datos
Opciones de embalaje
– 56-pin TSOP
¢ 64 bolas LAA BGA reforzado, 13 mm x 11 mm
️ 64 bolas LAE BGA reforzado, 9 mm x 9 mm
VBU de 56 bolas BGA reforzado, 9 mm x 7 mm

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteEl ciprés semiconductor
Categoría de productosInterfaces de memoria
SerieSe trata de una
EmbalajeEmbalaje alternativo de cinta y bobina (TR)
Cuadro de paquete64 LBGA
Temperatura de funcionamiento-40 °C ~ 85 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión1.65 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedorBGA de 64 pisos (13x11)
Capacidad de memoria1G (64M x 16)
Tipo de memoriaFLASH - Ni siquiera
Velocidad110 ns
Formatos de memoriaEl flash.
Componente compatible funcionalFormulario, paquete, componente funcional compatible
Parte del fabricanteDescripciónFabricanteComparar
S29GL01GS11DHIV20
Memoria
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la emisión de gases de efecto invernadero.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
S29GL01GS11DHIV10
Memoria
Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, el paqueteEl ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
S29GL01GS10DHI020
Memoria
Flash, 128MX8, 100ns, PBGA64, el paqueteEl ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de transporte aéreo no incluidos en el anexo I del Reglamento (UE) n.o 1308/2013 será el valor de las emisiones de CO2 de los vehículos de transporte aéreo incluidos en el anexo II del Reglamento (UE) n.o 1370/2013.
S29GL01GS11DHI020 Las condiciones de los vehículos de transporte de mercancías no incluidas en el anexo I del Reglamento (CE) n.o 216/2008
Memoria
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la emisión de gases de efecto invernadero.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de tratamiento de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
El número de unidades de producción de los productos de la categoría S2A será el siguiente:
Memoria
Flash, 128MX8, 100ns, PBGA64, el paqueteEl ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero de las emisiones de gases de efecto invernadero.
S29GL01GS11DHI010
Memoria
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la emisión de gases de efecto invernadero.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de tratamiento de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
S29GL01GS12DHIV10
Memoria
Flash, 128MX8, 120ns, PBGA64, 9 X 9 MM, libre de halógenos y libre de plomo, FBGA-64El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
Los datos de los datos de los Estados miembros que se utilicen para la evaluación de la seguridad de los sistemas de gestión de la seguridad de los sistemas de gestión de la seguridad de los sistemas de gestión de la seguridad.
Memoria
El sistema de control de las emisiones de gases de efecto invernadero se utiliza para controlar la emisión de gases de efecto invernadero.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones de tratamiento de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero.
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Memoria
El número de unidades de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad de la unidad de seguridad.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 es el valor de las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles.
Los datos de los datos de los Estados miembros de la Unión Europea se publicarán en el Diario Oficial de la Unión Europea.
Memoria
Flash, 128MX8, 110ns, PBGA64, y el resto del equipo.El ciprés semiconductorEl valor de las emisiones de CO2 de las emisiones de gases de efecto invernadero se calculará en función de las emisiones de gases de efecto invernadero de las emisiones de gases de efecto invernadero.

Descripciones

FLASH - NOR IC de memoria 1 GB (64M x 16) paralelo 110ns 64-fortificado con BGA (13x11)
NOR Flash paralelo 3V/3.3V 1G-bit 64M x 16 110ns 64 pines BGA reforzado T/R
Memoria flash 1G BIT, 3V, 110NS, FBGA de 64 bolas, Modo de página Memoria flash con tecnología de proceso de mirrorbits de 65 nm, VIO, sector de dirección más bajo protegido
China S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologías Infineon supplier

S29GL01GS11FHIV23 IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA Tecnologías Infineon

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