CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

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Capacidad de suministro:En stock
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Detalles del embalaje:Bolsa antistática y caja de cartón
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Shenzhen China
Dirección: No. 2520, 25ª planta, bloque A, nueva Asia Guoli Building, calle del norte de Huaqiang, Shenzhen, China
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Descripción funcional

El CY7C1350G es una SRAM de ráfaga de 3,3 V, 128 K × 36 sincronizada con tuberías diseñada específicamente para admitir operaciones de lectura / escritura reales ilimitadas sin la inserción de estados de espera.El CY7C1350G está equipado con la lógica avanzada No Bus LatencyTM (NoBLTM) necesaria para permitir operaciones de lectura/escritura consecutivas con datos transferidos en cada ciclo de relojEsta característica mejora drásticamente el rendimiento de la SRAM, especialmente en sistemas que requieren frecuentes transiciones de escritura / lectura.

Características

■ compatibles con pines y funcionalmente equivalentes a los dispositivos ZBTTM
■ Control del búfer de salida automático de tiempo interno para eliminar la necesidad de utilizar OE
■ Capacidad de escritura de bytes
■ 128 K × 36 arquitectura de E/S común
■ 3,3 V de alimentación (VDD)
■ Fuente de alimentación de entrada y salida de 2,5 V / 3,3 V (VDDQ)
■ Tiempos rápidos de horario a salida
¢ 2,8 ns (para el dispositivo de 200 MHz)
■ Clock enable (CEN) pin para suspender el funcionamiento
■ Escrituras sincronizadas con tiempo automático
■ Activación de la salida asíncrona (OE)
■ Disponible en el paquete TQFP de 100 pines sin Pb, en el paquete BGA de 119 bolas sin Pb y sin Pb
■ Capacidad de estallido: orden de estallido lineal
■ Opción de modo de reposo

Especificaciones

AtributoValor del atributo
FabricanteEl ciprés semiconductor
Categoría de productosInterfaces de memoria
SerieNoBLTM
EmbalajeEnvases
Cuadro de paqueteLas demás:
Temperatura de funcionamiento0 °C ~ 70 °C (TA)
InterfazEn paralelo
Fuente de suministro de tensión3.135 V ~ 3.6 V
Envase del producto del proveedorSe trata de un sistema de control de velocidad.
Capacidad de memoria4.5M (128K x 36)
Tipo de memoriaEl valor de la carga de la unidad de recolección será el valor de la carga de la unidad de recolección.
Velocidad133MHz
Formatos de memoriaMemoria RAM

Descripciones

SRAM - IC de memoria síncrona de 4,5 Mb (128K x 36) paralelo a 133 MHz 4ns 119-PBGA (14x22)
China CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios supplier

CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp. y sus subsidiarios

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