85MHZ memoria Flash estable IC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

Descripción

El Atmel AT45DB161E es un mínimo 2.3V o 2.5V, memoria Flash de acceso secuencial del serial-interfaz adecuada idealmente para una amplia variedad de voz digital, imagen, código de programa, y los usos del almacenamiento de datos. El AT45DB161E también apoya la interfaz en serie de los rápidos para los usos que requieren la operación muy de alta velocidad. Sus 17.301.504 pedazos de la memoria se organizan como 4.096 páginas de 512 bytes o de 528 bytes cada uno. Además de memoria principal, el AT45DB161E también contiene dos almacenadores intermediarios de SRAM de 512/528 de los bytes cada uno. Los almacenadores intermediarios permiten la recepción de datos mientras que una página en el de memoria principal se está reprogramando. La interpolación entre ambos almacenadores intermediarios puede aumentar dramáticamente la capacidad de un sistema de escribir una secuencia de datos continua. Además, los almacenadores intermediarios de SRAM se pueden utilizar como rasguño adicional del sistema pademory, y la emulación de E2PROM (alterabilidad del pedazo o del byte) se puede manejar fácilmente con tres autónomos que el paso lectura-modificar-escribe la operación.

Características

 solo 2.3V - 3.6V o 2.5V - fuente 3.6V
interfaz periférico serial del  (SPI) compatible
el  apoya los modos 0 y 3 de SPI
el  apoya la operación de Atmel® RapidS™
capacidad leída continua del  con arsenal entero
 hasta 85MHz
opción leída de baja potencia del  hasta 10MHz
tiempo de la Reloj-a-salida del  (TV) del máximo 6ns
tamaño de página configurable del usuario del 
 512 bytes por la página
 528 bytes por la página (defecto)
el tamaño de página del  puede ser fábrica preconfigurada para 512 bytes
almacenadores intermediarios de datos de SRAM de la independiente del  dos completamente - (512/528 de los bytes)
 Allows que recibe datos mientras que reprograma el arsenal de memoria principal
opciones programadas flexibles del 
programa del byte/de la página del  (1 a 512/528 de los bytes) directamente en de memoria principal
almacenador intermediario del  escribir
el  protege al programa de memoria principal de la página
opciones flexibles del borrado del 
borrado de la página del  (512/528 de los bytes)
el  bloquea el borrado (4KB)
borrado del sector del  (128KB)
 Chip Erase (16-Mbits)
el programa y el borrado del  suspenden/curriculum vitae
características de protección de datos avanzadas del soporte físico y del software del 
protección individual del sector del 
lockdown individual del sector del  para hacer cualquier sector permanentemente inalterable
byte del  128, registro programable de una sola vez de la seguridad (OTP)
 fábrica de 64 bytes programada con un identificador único
 usuario de 64 bytes programable
reset controlado del software del 
la identificación estándar del fabricante y del dispositivo del  JEDEC leyó
disipación de baja potencia del 
corriente Ultra-profunda del poder-Abajo del  500nA (típica)
corriente profunda del poder-Abajo del  3μA (típica)
corriente del recurso seguro del  25μA (típica)
corriente leída activa del  11mA (típica)
resistencia del : 100.000 ciclos del programa/del borrado por mínimo de la página
retención de los datos del : 20 años
el  cumple con la gama de temperaturas industrial completa
opciones de empaquetado del verde del  (Pb/Halide-free/RoHS obediente)
 8 llevar SOIC (0,150" ancho)
cojín DFN ultrafino (5 x 6 x 0.6m m) del  8
Microprocesador-escala BGA (5 x 5 x 1.2m m) de la bola del  9