Chips de diodo de emisor único y barras desnudas de 638nm a 1550nm

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Wuhan Hubei China
Dirección: Parque industrial Sintec, Optics Vally of China, Wuhan, provincia de Hubei, República Popular China
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Chips de diodo de emisor único y barras desnudas de 638nm a 1550nm

1. Emisor único

Los chips de diodo láser de emisor único (SE) son el componente básico de los módulos láser semiconductores de alta potencia y alto brillo.Fabricamos chips individuales con una variedad de potencias de salida y longitudes de onda.

número de parteLongitud de onda, nanómetroPotencia de salidaVoltaje de corrienteAncho de emisión, umdivergencia, gradostamaño
STR-638A-110-1-1.5-SE6381W1.4A/2.1V1108/351500x400x150
STR-755A-350-8-2.5-SE7558W8A/1.9V3509/382500x500x150
STR-808A-150-3-1-SE8083W3A/1.9V15024/81000x500x150
STR-808A-190-10-4-SE80810W10A/1,8 V19010/384000x500x150
STR-808A-350-10-2.5-SE80810.5W10A/1,8 V3508/362500x500x150
STR-880A-190-10-4-SE88010W12A/1.8V1908/322500x500x150
STR-880A-350-10-2.5-SE8809.8W10A/1,8 V3508/342500x500x150
STR-905A-74-25-0.75-SE90525W7A/7.2V7413/30750x400x150
STR-905A-150-50-0.75-SE90550W14A/7.6V15031/12750X400X150
STR-905A-200-75-0.75-SE90575W20A/8.4V20030/12750X400X150
STR-905B-200-25-0.75-SE90525W20A/3,8 V20014750X600X150
STR-905-38-15-0.75-SE90515W5A/9.2V3835/30750X400X150
STR-905C-70-25-0.75-SE90525W8A/8.2V7017/30750X400X150
STR-905C-300-75-0.75-SE90575W22A/9.5V30030/12750x400x150
STR-905D-300-100-0.75-SE905100W22A/11V30013/30750x400x150
STR-915A-96-12-4.8-SE91512W12A/1.6V9626/104800x500x150
STR-915A-190-20-4-SE91520W20A/1,7 V19026/104000x500x150
STR-940A-96-12-4.8-SE94012W12A/1.6V9626/104800x500x150
STR-940A-190-20-4-SE94020W20A/1,7 V19026/104000x500x150
STR-976A-96-10-4.8-SE97610W10A/1,8 V9627/94800x500x150
STR-976A-96-12-4.8-SE97612W12A/1.6V9626/104800x500x150
STR-976A-96-13-4-SE97613W12,5 A/1,5 V968/284000x500x150
STR-976A-190-15-4-SE97615,5 W15A/1.6V19029/104000x500x150
STR-976A-190-20-4-SE97620W20A/1,7 V19026/104000x500x150
STR-1064A-190-10-4-SE106410W14A/0.9V19030/104000x500x150
STR-1064A-350-10-2.5-SE106410W13A/1.6V35029/102500x500x150
STR-1470A-96-1.5-1-SE14701.5W4A/1,4 V9631/111000x500x150
STR-1470A-96-3-2-SE14703W9A/1.5V9628/112000x500x150
STR-1550A-96-1.5-1-SE15501.5W4A/1,4 V9631/111000x500x150
STR-15500A-96-3-2-SE15503W9A/1.5V9628/112000x500x150

2. Barras desnudas

La barra desnuda es una matriz de chips láser semiconductores individuales, con una potencia de salida combinada de decenas de vatios a unos pocos cientos de vatios.Nuestro proceso patentado de pasivación de facetas garantiza la confiabilidad requerida por las aplicaciones más estrictas.

En la siguiente tabla, WL significa longitud de onda, I/V significa corriente/voltaje de operación, N significa el número de emisores, P/ancho significa período (um)/ancho del emisor (um), L/W/T significa largo/ancho/ espesor de la barra.

número de parteWL nmModoFuerzaI/VnorteP/Ancho mmRellenoL/W/T um
STR-755A-48-80-23-1.5-BAR755QCW80W86A/1.9V23499/19048%1500x10000x150
STR-808A-30-50-19-1-BAR808CW50W45A/1.7V19500/15030%1000x98000x150
STR-808A-48-100-23-1.5-BAR808CW100W88A/1,75 V23400/19048%1500x9800x150
STR-808A-72-300-34-1.5-BAR808QCW300W190A/1.85V34290/21072%1500x10000x150
STR-940A-30-100-19-2-BAR940CW100W95A/1.65V19500/15030%2000x10000x150
STR-940A-50-200-24-3-BAR940CW200W195A/1,63 V24400/20050%3000x10200x150
STR-940A-76-600-40-2-BAR940QCW600W600 A/1,8 V40250/19076%2000x10400x150
STR-976A-10-35-5-4-BAR976CW35W35A/1.7V51000/10010%4000x5000x150
STR-1470A-18-8-6-2-BAR1470CW8W24A/1.4V6400/9618%2000x3000x150
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