Alta pureza 99,97% de tungsteno Condición de la superficie del suelo objetivo para el recubrimiento de pulverización
Número de modelo:Objetivo de tungsteno
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Capacidad de suministro:10000sets/month
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Luoyang China
Dirección:
Parque de Ciencia y Tecnología de la Universidad Nacional de Luoyang
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Meta de tungsteno de alta pureza 99,97% para el recubrimiento por pulverización
Introducción
1El objetivo de pulverización de tungsteno adopta las técnicas
mejor demostradas, incluida la fluorescencia de rayos X (XRF), la
espectrometría de masas de descarga de brillo (GDMS) y el plasma
acoplado inductivamente (ICP);
2El objetivo de tungsteno de Achemetal se proporciona con una alta
pureza de hasta 99,97%, densidad de 18,8-19 g/cm3, estructura de
organización homogénea y grano fino;
3Nuestro objetivo de pulverización de tungsteno ha sido aprobado
por la ASTM B 760-2007 y GB 3875-2006.
Parámetro
OD (mm) | Identificación en mm | Duración ((mm) | Hecho a medida |
140 a 300 | 120 a 280 años | 100 a 3300 |
Número de modelo | W1 | |||
Forma de las piezas | personalizado | |||
Composición química | 99.95% de agua | |||
Características
1. Alta densidad
2. Alta resistencia al desgaste
3Alta conductividad térmica con bajo coeficiente de expansión
térmica
Especificación
Número atómico | 74 |
Número CAS | 7440-33-7 |
Masa atómica | 183.84 [g/mol] |
Punto de fusión | 3420 °C |
Punto de ebullición | 5555 °C |
Densidad a 20 °C | 19.25 [g/cm3] |
Estructura de cristal | Cubo centrado en el cuerpo |
Coeficiente de expansión térmica lineal a 20 °C | 4.410-6[m/mK] |
Conductividad térmica a 20 °C | Se aplicará el procedimiento siguiente: |
Calor específico a 20 °C | 0.13 [J/gK] |
Conductividad eléctrica a 20 °C | 18.2106[S/m] |
Resistencia eléctrica específica a 20 °C | 0.055 [(mm2) /m] |
Las aplicaciones
el semiconductor
deposición de vapor químico (CVD)
Display de deposición física de vapor (PVD)
Alta pureza 99,97% de tungsteno Condición de la superficie del suelo objetivo para el recubrimiento de pulverización
Carro de la investigación
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