Objetivos de pulverización plana de molibdeno
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Luoyang China
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Parque de Ciencia y Tecnología de la Universidad Nacional de Luoyang
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Objetivos de pulverización plana de molibdeno
El material: | El molybdeno | Tipo de la pieza: | Pintura |
Purificación: | 990,5% | Densidad: | 10.2 g/cm |
El color: | De plata | Estándar: | Las demás partidas |
Tamaño: | Envasado | Superficie: | Es muy brillante. |
La luz alta: | 99Objetivo de pulverización de molibdeno.95% Objetivo de pulverización de molibdeno 10,2 g/cm3 Las placas de molibdeno 10.2 g/cm3 | ||
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Descripción del objetivo de pulverización de molibdeno
En la industria electrónica, los objetivos de pulverización de molibdeno se utilizan principalmente para pantallas planas,electrodos y materiales de cableado para células solares de película delgada y materiales de capa de barrera para semiconductoresEstos se basan en el alto punto de fusión del molibdeno, su alta conductividad eléctrica, su baja impedancia específica, su buena resistencia a la corrosión y sus buenas propiedades ambientales.
Parámetros
Rango de fabricación (objetivos de pulverización rotativos de molibdeno)
OD (mm) | Identificación en mm | Duración ((mm) | Fabricado a medida |
Las demás: | 125-135 mm | 100 a 3300 |
Variación de fabricación (objetivo de pulverización plana de molibdeno)
Rectángulo | Duración (mm) | Ancho (mm) | El espesor ((mm) | Hecho a medida |
10 - 3000 | 10 - 800 | 1.0 a 50.8 | ||
En forma circular | Diámetro (mm) | El espesor (mm) | ||
10 - 1000 | 1.0 - 100 |
Especificación
Composición | Mo (Mo1, TZM) |
Purificación | 99.95% |
Densidad | 10.2 g/cm3 |
Tamaños de los granos | 100 m2 o bajo petición |
La rugosidad | Ra ≤ 0,4 m |
Tolerancia a la superficie plana | < 4um |
| Número atómico | 42 |
| Número CAS | 7439 a 987 |
| Masa atómica | 95.94 [g/mol] |
| Punto de fusión | 2620 °C |
| Punto de ebullición | 4639 °C |
| Densidad a 20 °C | 10.22 [g/cm] |
| Estructura de cristal | Cubo centrado en el cuerpo |
| Coeficiente de expansión térmica lineal a 20 °C | 5.210-6 años[m/mK] |
| Conductividad térmica a 20 °C | Se aplicará el método de cálculo de las emisiones de gases de efecto invernadero. |
| Calor específico a 20 °C | 0.25 [J/gK] |
| Conductividad eléctrica a 20 °C | 17.9106[S/m] |
| Resistencia eléctrica específica a 20 °C | 0.056 [ (mm))2(en el caso de las empresas de la Unión) |
Calidad e inspección
Aplicaciones:
Producción de electricidad, electricidad, energía renovable, energía renovable
Industria de los controles táctiles, pantallas planas
Industria de semiconductores, microelectrónica, luces para automóviles y revestimientos decorativos
Industria del vidrio recubierto (incluido el vidrio arquitectónico, el vidrio del automóvil, el vidrio óptico y otras películas), etc.
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