BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia
Número de modelo:BS816A-1
Lugar de origen:Estados Unidos
Cantidad mínima de pedido:1 PCS
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de suministro:5000
Tiempo de entrega:1 día
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sala 1205-1207, edificio Nanguang, calle Huafu, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 1 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
BS816A-1 Modo de mejora del canal P Dmos Transistores RF Transistores
| Diodos de aluminio | |
| Categoría de producto: | Mejora del canal P |
| La norma RoHS: | Detalles |
| - | |
| 16NEP | |
| Estándar | |
| Peso unitario: | - Oz |
Este transistor es adecuado para amplificadores de potencia de RF en varias aplicaciones como la comunicación inalámbrica,
de radiodifusión y equipos de RF industriales.
● Modo de mejora del canal P
● Tecnología de transistores DMOS
● Alta capacidad de manejo de energía
● Amplio rango de frecuencias
● Bajo nivel de ruido
● Gran ganancia
● Buena linealidad
● Pequeña distorsión de la señal
● Compatible con la norma RoHS
|
BS816A-1 Modo de mejora de los canales P Dmos TRANSISTOR TRANSISTOR de alta potencia
Carro de la investigación
0