IXFN38N100Q2 módulos de semiconductores discretos 38 Amperios 1000V 0,25 Rds
Número de modelo:IXFN38N100Q2
Lugar de origen:Estados Unidos
Cantidad mínima de pedido:1 piezas
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de suministro:1500pcs
Tiempo de entrega:1 día
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Shenzhen Guangdong China
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Sala 1205-1207, edificio Nanguang, calle Huafu, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
IXFN38N100Q2 módulos de semiconductores discretos 38 Amperios 1000V 0,25 Rds
| IXYS | |
| Categoría de producto: | Modulos de semiconductores discretos |
| La norma RoHS: | Detalles |
| Módulos MOSFET de potencia | |
| Sí, sí. | |
| - 30 V, más 30 V | |
| Montura del chasis | |
| Se trata de la SOT-227-4 | |
| - 55 C | |
| + 150 °C | |
| El número de unidades de seguridad de la aeronave | |
| El tubo | |
| Marca: | IXYS |
| Configuración: | No casado |
| Tiempo de caída: | 15 ns |
| Alturas: | 9.6 mm |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 38 A |
| Duración: | 38.23 mm |
| Número de canales: | 1 Canal |
| Pd - Disposición de energía: | 890 W |
| Tipo de producto: | Modulos de semiconductores discretos |
| Rds encendido - Resistencia de la fuente de drenaje: | 250 mOhms |
| Tiempo de ascenso: | 28 ns |
| Subcategoría: | Modulos de semiconductores discretos |
| Nombre comercial: | HIPERFET |
| Polaridad del transistor: | N-canal |
| Tiempo de retraso típico de apagado: | 57 ns |
| Tiempo típico de retraso de encendido: | 25 ns |
| Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: | 1 kV |
| Ancho: | 25.42 mm |
| Peso unitario: | 1.058219 onzas |
La tecnología Wisdtech Co., Ltd.
Telefono: +86-755-23606019
Dirección: habitación 1205-1207, edificio Nanguang, calle Huafu,Distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
- ¿ Qué pasa?
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