NVT2008PW Traducción - Niveles de tensión +/-50mA 1.5ns 1-5.5V Circuitos integrados IC
Número de modelo:NVT2008PW
Lugar de origen:El original
Cantidad mínima de pedido:1 PCS
Condiciones de pago:Paypal, TT, Western Union
Capacidad de suministro:2500 piezas
Tiempo de entrega:1 día
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Shenzhen Guangdong China
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Sala 1205-1207, edificio Nanguang, calle Huafu, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
NVT2008PW Traducción - Niveles de tensión +/-50mA 1.5ns 1-5.5V
| Atributo del producto | Valor del atributo |
|---|---|
| N-X-P | |
| Categoría de producto: | Traducción - Niveles de tensión |
| La norma RoHS: | Detalles |
| El año 2008 | |
| El valor de las pérdidas | |
| DSM/SMT | |
| TSSOP-20: las instrucciones de los equipos de control. | |
| 1 V | |
| 5.5 V | |
| - 40 ° C. | |
| + 85 C | |
| 1.5 ns | |
| El rollo | |
| Cortar la cinta | |
| MouseReel es un juego de cartas. | |
| Marca: | Semiconductores N-X-P |
| Corriente de salida de alto nivel: | 50 mA |
| Tipo de lógica: | Transformador bidireccional del nivel de voltaje |
| Corriente de salida de bajo nivel: | - 50 mA |
| Tipo de producto: | Traducción - Niveles de tensión |
| 2500 | |
| Subcategoría: | Interfaces lógicas |
| Parte # Alias: | 935292076118 |
| Peso unitario: | 0.004068 onzas |
Descripción general
Los NVT2008/NVT2010 son traductores bidireccionales de nivel de
voltaje que funcionan desde 1,0 V
a 3,6 V (Vre(A) y a 1,8 V a 5,5 V (ere(B), que permiten las
transformaciones bidireccionales de voltaje
entre 1,0 V y 5 V sin necesidad de un alfiler de dirección en el
desage abierto o en el empuje
Las amplitudes de bits de 8 a 10 bits se ofrecen para aplicaciones
de traducción de nivel con
velocidades de transmisión < 33 MHz para un sistema de drenaje
abierto con una capacidad de 50 pF y una
pulsación de 1972.
Cuando el puerto An o Bn está BAJO, la abrazadera está en el estado
ON y una baja resistencia
La baja resistencia de estado encendido (Ron) de los puertos A y Bn
El cambio permite que las conexiones se realicen con un mínimo
retraso de propagación.
cuando el puerto Bn es alto, el voltaje en el puerto An es
Cuando el puerto A es ALTO, el puerto Bn se tira al
Esta funcionalidad permite a los motores de carga eléctrica
utilizar una tensión de alimentación de descarga (Vpu(D) de las
resistencias de descarga.
Transformación sin interrupciones entre voltajes más altos y más
bajos seleccionados por el usuario sin el
Necesidad de control direccional.
Cuando EN es alto, el interruptor del traductor está encendido, y
el An / 0 está conectado al Bn / O,
Cuando el EN es BAJO, el
El interruptor de traducción está apagado y existe un estado de
alta impedancia entre los puertos.
El circuito está diseñado para ser alimentado por Ve(B) - para
garantizar el estado de alta impedancia durante
cuando se activa o se apaga, el EN debe ser BAJO.
Todos los canales tienen las mismas características eléctricas y
hay una desviación mínima de
Esto es una ventaja sobre las soluciones discretas.
las soluciones de conversión de voltaje de transistores, ya que la
fabricación del interruptor es simétrica.
El traductor proporciona una excelente protección ESD a los
dispositivos de baja tensión, y en el
al mismo tiempo protege los dispositivos menos resistentes al ESD.
Características y beneficios
Proporciona una conversión bidireccional de voltaje sin pin de
dirección
■Menos de 1,5 ns de retraso máximo de propagación
■Permite la conversión del nivel de voltaje entre:
◆1.0V (A) y 1.8V, 2.5V, 3.3V o 5V (B)
◆1.2V (A) y 1.8V, 2.5V, 3.3V o 5V (B)
◆1,8 V VrelA) y 3,3 V o 5 V Vre ((B)
◆2.5V VretA) y 5V Ve ((B)
◆3.3 V VrlA) y 5 V Vret ((B)
■Low 3.5 0 La conexión en estado encendido entre los puertos de
entrada y salida proporciona menos distorsión de la señal
■ puertos de 5 V/O tolerantes para soportar el funcionamiento de
señales de modo mixto
■Pinos de alta impedancia A y Bn para EN = BAJO
■Funcionamiento libre de bloqueo
■Flujo a través del pin-out para facilitar el enrutamiento de la
pista de la placa de circuito impreso
■ el desarrollo de laProtección ESD superior a 4 kV HBM por JESD22-A114 y 1000 V CDM por
JESD22-C101
■ el desarrollo de laLos paquetes ofrecidos son los siguientes: TSSOP20, DHVQFN20,
TSSOP24, DHVQFN24 HVQFN24
NVT2008PW Traducción - Niveles de tensión +/-50mA 1.5ns 1-5.5V Circuitos integrados IC
Carro de la investigación
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