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Categoría:Productos discretos de semiconductores
Transistores
Bipolaridad (BJT)
Arrays de transistores bipolar
Corriente - colector (Ic) (máximo):500 mA
Estado del producto:No está disponible
Tipo de transistor:8 NPN Darlington
Tipo de montaje:A través del agujero
Frecuencia - Transición:-
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
1203, Edificio 4, Taiyun Chuanggu Sur, Comunidad Tangwei, calle Fenghuang, distrito de Guangming, Shenzhen
Proveedor Último login veces:
Dentro de 25 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Arsenal bipolar 8 NPN Darlington 50V 500mA 1.47W del transistor
(BJT) a través del agujero 18-DIP
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Carro de la investigación
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