VS-GT80DA120U Transistor bipolar de puerta aislada Semiconductores Vishay

Descripción:Las emisiones de gases de efecto invernadero se aplicarán a las emisiones de gases de efecto inverna

Categoría:Productos de semiconductores discretosTransistoresIGBTsMódulos IGBT

Corriente - colector (Ic) (máximo):139 A

Estado del producto:Actividad

Tipo de montaje:Montura del chasis

paquete:En bruto

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UDEL Chips Tech Co., Ltd.

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Shenzhen China

Dirección: Edificio Jiahe Huaqiang, No. 3006, Shennan Middle Road, Comunidad de Huahang, calle Huaqiang Norte, distrito de Futian, Shenzhen

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Modulo IGBT Trench único 1200 V 139 A 658 W Montado en el chasis SOT-227

Etiquetas de productos:

Transistores bipolares de puertas aisladas igbt igbt del mosfet semiconductor igbt

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