LDMOS RF FET 24W Salida de energía RF Mosfet Chasis montado Semiconductor 1.99GHz

Descripción:FET RF 65V 1,99 GHz NI-780S
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Categoría:Productos de semiconductores discretosTransistoresFET, MOSFETRF FET, MOSFET
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Dirección: Habitación 1105, Edificio New Asia Guoli, No. 18 de Zhonghang Road, calle Huaqiang Norte, comunidad Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

NI-780S MOSFET DE RADIOFRECUENCIA 28 V 750 mA 1,99 GHz 18 dB 24 W

China LDMOS RF FET 24W Salida de energía RF Mosfet Chasis montado Semiconductor 1.99GHz supplier

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