FET RF LDMOS activo 65V con frecuencia nominal de 2,69 GHz 28W Ganancia de salida de 18 dB

Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:Actividad
Voltado nominal:65 V
Paquete:Cintas y bobinas (TR)
Serie:-
Figura del ruido:-
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Habitación 1105, Edificio New Asia Guoli, No. 18 de Zhonghang Road, calle Huaqiang Norte, comunidad Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
RF Mosfet 28 V 900 mA 2.69GHz 18 dB 28W
China FET RF LDMOS activo 65V con frecuencia nominal de 2,69 GHz 28W Ganancia de salida de 18 dB supplier

FET RF LDMOS activo 65V con frecuencia nominal de 2,69 GHz 28W Ganancia de salida de 18 dB

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