FET RF BLF3G21 LDMOS obsoleto con potencia de salida de 30 W para frecuencia de 2 GHz

Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:No está disponible
Tipo de montaje:Montura del chasis
Voltado nominal:65 V
Paquete:la bandeja
Serie:-
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Habitación 1105, Edificio New Asia Guoli, No. 18 de Zhonghang Road, calle Huaqiang Norte, comunidad Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
RF Mosfet 26 V 450 mA 2GHz 13,5 dB 30W SOT467C
China FET RF BLF3G21 LDMOS obsoleto con potencia de salida de 30 W para frecuencia de 2 GHz supplier

FET RF BLF3G21 LDMOS obsoleto con potencia de salida de 30 W para frecuencia de 2 GHz

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