Tecnologías Infineon LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Transistor de ganancia para la amplificación de potencia de RF

Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:No está disponible
Tipo de montaje:Montura de la superficie
Voltado nominal:65 V
Paquete:Cintas y bobinas (TR)
Serie:-
Contacta

Add to Cart

Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Habitación 1105, Edificio New Asia Guoli, No. 18 de Zhonghang Road, calle Huaqiang Norte, comunidad Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
Mosfet de RF 30 V 1,6 A 2,14 GHz 15,8 dB 50 W H-37260-2
China Tecnologías Infineon LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Transistor de ganancia para la amplificación de potencia de RF supplier

Tecnologías Infineon LDMOS FET 65V 2.14GHz 15.8dB Transistor de ganancia para la amplificación de potencia de RF

Carro de la investigación 0