Transistor RF LDMOS 900W Potencia de salida Chasis montado 120V 470MHz ~ 800MHz 18dB de ganancia

Categoría:Productos discretos de semiconductores Transistores FET, MOSFET FET de RF y MOSFET
Estado del producto:Descatalogado en Digi-Key
Tipo de montaje:Montura del chasis
Voltado nominal:120 V
Paquete:la bandeja
Serie:-
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Habitación 1105, Edificio New Asia Guoli, No. 18 de Zhonghang Road, calle Huaqiang Norte, comunidad Huahang, Shenzhen, Guangdong, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
Mosfet de RF 50 V 900 mA 470MHz ~ 800MHz 18dB 900W SOT539A
China Transistor RF LDMOS 900W Potencia de salida Chasis montado 120V 470MHz ~ 800MHz 18dB de ganancia supplier

Transistor RF LDMOS 900W Potencia de salida Chasis montado 120V 470MHz ~ 800MHz 18dB de ganancia

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