Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores

Lugar de origen:Hecho en china
Cantidad mínima de pedido:Negociable
Tiempo de entrega:Negociable
Términos de pago:Negociable
Pureza:96%, 99%
Materiales:92% de alúmina en polvo
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Jinhua Zhejiang China
Dirección: No 6, calle Shuangjin, ciudad industrial de Qiubin, calle Qiubin, distrito de Wucheng, Jinhua, Zhejiang
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Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10⁴ Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores


Esta serie de componentes cerámicos de alúmina específicos para semiconductores se fabrican utilizando material de Al₂O₃ de ultra alta pureza al 99,6% mediante procesos de colado de cinta de precisión y sinterización a alta temperatura. Los productos exhiben un excelente aislamiento, resistencia a la corrosión y estabilidad dimensional, cumpliendo con los requisitos de limpieza de la Norma SEMI F47.

Aplicaciones principales en semiconductores

  • Fabricación de obleas: Piezas cerámicas para máquinas de grabado, barcos de difusión

  • Empaquetado y pruebas: Sustratos de tarjetas de sonda, zócalos de prueba

  • Componentes de equipos: Efectores finales de robots

  • Sistemas de vacío: Bases de mandriles electrostáticos

  • Inspección óptica: Guías cerámicas para máquinas de litografía

Ventajas del producto

✓ Ultra limpio: Contenido de iones metálicos <0.1ppm
✓ Dimensiones de precisión: Tolerancia ±0.05mm/100mm
✓ Resistencia al plasma: Tasa de grabado <0.1μm/h
✓ Baja emisión de gases: TML<0.1% CVCM<0.01%
✓ Alta fiabilidad: Pasa 1000 ciclos térmicos

Especificaciones técnicas

ParámetroEspecificaciónEstándar de prueba
Pureza del materialAl₂O₃≥99.6%GDMS
Resistividad volumétrica>10⁴Ω·cmASTM D257
Constante dieléctrica9.8@1MHzIEC 60250
Resistencia a la flexión≥400MPaISO 14704
CTE7.2×10⁻⁶/°CDIN 51045
Rugosidad superficialRa≤0.1μmISO 4287
Emisión de gasesTML<0.1%ASTM E595

Proceso de fabricación de semiconductores

  1. Preparación del material:

    • Polvo de Al₂O₃ de grado nano (D50≤0.5μm)

    • Molienda de bolas de alta pureza (ayudas de sinterización Y₂O₃-MgO)

  2. Proceso de formación:

    • Colado de cinta (espesor 0.1-5mm)

    • Prensado isostático (200MPa)

  3. Control de sinterización:

    • Sinterización en atmósfera de múltiples etapas (1600°C/H₂)

    • Post-tratamiento HIP (1500°C/150MPa)

  4. Mecanizado de precisión:

    • Procesamiento láser (±5μm)

    • Taladrado ultrasónico (relación de aspecto 10:1)

  5. Limpieza e inspección:

    • Limpieza megasónica (sala limpia Clase 1)

    • Prueba de partículas SEMI F47

Guías de uso

⚠️ Almacenamiento: Embalaje limpio Clase 100
⚠️ Entorno de instalación: 23±1°C HR45±5%
⚠️ Limpieza: Solo disolventes de grado semiconductor
⚠️ Manipulación: Evitar el contacto directo con las superficies funcionales

Servicios para semiconductores

  • Verificación de limpieza: Informes de pruebas VDA19

  • Análisis de fallos: Microanálisis SEM/EDS

  • Desarrollo personalizado: Codiseño DFM

Preguntas frecuentes

P: ¿Cómo asegurar la limpieza de la superficie de contacto de la oblea?
R: Triple protección:
① Activación de la superficie del plasma
② Embalaje al vacío + almacenamiento N₂
③ Limpieza con aire ionizado antes de la instalación

P: ¿Rendimiento en plasma a base de flúor?
R: Versión con tratamiento especial:
• Tasa de grabado <0.05μm/h
• Capa de pasivación AlF₃
• 3 veces mayor vida útil

P: ¿Tamaño máximo procesable?
R: Estándar 200×200mm, proceso especial hasta 400×400mm.



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Cerámica de alúmina de alta pureza con resistividad volumétrica de 10^4 Ohm*cm para aplicaciones de semiconductores

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