Semiconductor de alta potencia de conmutación baja 15A 650V 238mΩ para convertidores CC-DC

Número de modelo:El objetivo es el siguiente:
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:Confirmar la cantidad en función del número de la pieza
Condiciones de pago:100% T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de suministro:600KK/año
Tiempo de entrega:2-30 días ((depende de la cantidad total)
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Evaluación de proveedor
Dongguan Guangdong China
Dirección: - No, no es así.7, XingRong Road, ciudad de ShiJie, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 27 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

15A 650V 238mΩ Semiconductor de baja conmutación de alta potencia para convertidores CC-DC

 

MOSFET de súper unión de canal N

 

No de la parte: LC65R280D

 

Paquete:TO-252

 

Características principales
Yo...D- ¿Qué es eso?
V.DSS: ¿ Qué está pasando?Las demás:
El tipo RDSON VGS=10V:238mΩ
 
 
Características
• Baja carga de la puerta
• Baja RDS ((on) por área de chip ((FOM baja)
• Muy baja pérdida de conmutación y conducción
• Extremadamente alta robustez de conmutación
 
Las aplicaciones
• Inversores solares
• Televisores LCD/LED/PDP
• Fuentes de energía de telecomunicaciones/servidores
• Fuente de alimentación AC-DC
 
 
 

P1. ¿Quiénes somos?

R:Estamos basados en Guangdong, China, la fábrica comienza desde 2012, es una empresa nacional de alta tecnología que se centra en el embalaje y prueba de dispositivos de semiconductores de potencia.Actualmente tiene más de 180 tiene más de 180 empleados y más de 10000 metros cuadrados de superficieProporcionamos más de 600 KK de alta calidad de energía de dispositivos semiconductores por año.

 

P2. ¿Cuál es su línea de productos?

R:Las principales líneas de producción existentes incluyen Schottky,Schottky de baja frecuencia de onda,diodos de recuperación rápida, Mosfet de alto voltaje, Mosfet de voltaje medio y bajo, Mosfet de superunión, IGBT,Diodo de barrera de baja velocidad de SiC y SiC Mosfet, etc..

 

P3.¿Cuál es la aplicación de su producto?

R:Ampliamente utilizado en diversos campos como adaptadores de energía, iluminación LED, motores sin escobillas, gestión de baterías de litio, inversores, almacenamiento de energía y pila de carga, etc.

 

P4.¿Cuál es su ventaja competitiva?

A: ¿Qué quieres decir?1.Fábrica de fuertes capacidades. Tenemos nuestra propia fábrica de ensamblaje y prueba, inversión fija superior a 70 millones de yuanes. Teniendo el mejor equipo automatizado Wire Bond,Proporcionar más de 600KK de dispositivos de energía de semiconductores anualmente.

2. ventajas de servicio,un sistema de suministro estable,un suministro sostenible y estable de productos.Nuestro propio laboratorio puede cooperar rápida y eficazmente con la validación.

3. Aseguramiento de calidad,La fábrica digital de sistemas MES más convencional en el campo del embalaje y las pruebas, certificada por ISO9001 versión 2015 e IATF16949.

4. Actualización de productos, Investigación y desarrollo continuos de nuevas especificaciones y formas de embalaje para satisfacer las necesidades de aplicación de más clientes.

 

P5. ¿Cuáles son sus condiciones de embalaje?

R:Por lo general, los diferentes paquetes tienen un embalaje diferente.TO-252/263 es carrete + bolsa sellada + caja interior + cartón.TO-220/247 es tubo + caja interior + cartón.

 

P6. ¿Cuál es su MOQ?

R: Proporcionamos muestras para cada artículo. El MOQ depende de su cantidad de pedido.

 

¿Cuál es su garantía de calidad?

R: Ofrecer muestras para pruebas. Asegúrese de que el producto a granel es consistente con la muestra. Si hay algún cambio, la muestra se proporcionará de nuevo para pruebas.Prueba y verificación del 100% de todos los productos antes de la entrega.

 

¿Qué es eso?¿Acepta la personalización?

R: Sí, ¡envíame su requerimiento!

 

P9. ¿Cómo puedo contactar con usted?

R: Envíe los detalles de su consulta a continuación, ¡Haga clic en Enviar, AHORA!!!

Para cualquier otra pregunta, no dude en contactarnos.

 

 
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Semiconductor de alta potencia de conmutación baja 15A 650V 238mΩ para convertidores CC-DC

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