Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:Pregunte
Condiciones de pago:T/T por adelantado (EXW)
Capacidad de suministro:600KK/año
Tiempo de entrega:2-30 días ((depende de la cantidad del pedido)
Detalles del embalaje:Tube+Carton
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Evaluación de proveedor
Dongguan Guangdong China
Dirección:
- No, no es así.7, XingRong Road, ciudad de ShiJie, ciudad de Dongguan, provincia de Guangdong, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 27 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
MOSFET multifuncional de bajo voltaje para gestión de energía
Características
• Coeficiente de temperatura positivo
• Conmutación de alta velocidad
• Baja tensión de saturación del colector con el emisor
• Facilidad de conmutación paralela
• Cortocircuito soporta tiempo de 10 μs
• Alto rendimiento de resistencia
Las aplicaciones
• Estación eléctrica portátil
• El conductor de automóviles
Envase:
TO-247
Modo de mejora de N-canal IGBT de alta potencia para convertidor de frecuencia
Carro de la investigación
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