50W Nitruro de galio 28V CC a 4GHz Transistor de potencia RF GAN de alta movilidad de electrones
Número de modelo:YP01401650T
Lugar de origen:Jiangsu, China
Tiempo de entrega:Entre 5 y 8 días hábiles
Detalles del embalaje:En cartón
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Evaluación de proveedor
Suzhou Jiangsu China
Dirección:
Habitación 107, Sanjiang Yuan, calle Linquan 399, Parque Industrial de Suzhou, ciudad de Suzhou, provincia de Jiangsu
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Dentro de 48 Horas
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INNOTION YP01401650T 50W Nitruro de galio 28V DC-4GHz Transistor de potencia de alta movilidad de electrones GAN RF
Descripción del producto
Innotion's YP01401650T es un transistor de alta movilidad electrónica (HEMT) de nitruro de galio (GaN) de 50 vatios, diseñado específicamente con alta eficiencia,capacidades de ganancia alta y ancho de banda amplio con frecuencia de hasta 4000MHzEl transistor se suministra en un paquete cerámico/metálico.
| Votación | 28 V |
| - ¿Qué es eso? | 50 W |
Características:
Operación de alta eficiencia y ganancia lineal
Se requiere una secuenciación de voltaje de puerta negativa y de
sesgo
Excelente estabilidad térmica y excelente robustez
Embalaje a base de metal sellado con tapa cerámica-epoxi
Sistema de metalización del oro: paquete de bonos de alambre de
viruta
Información sobre la empresa
Parque Industrial de Suzhou. Fundada en 2010. la única tienda
oficial! vendemos nuestros propios productos al mejor precio, como
amplificador WiFi, VCO, fuente de señal de barrido,Grupo de
tarjetas inalámbricas y otras líneas de productos;
Los profesionales hacen cosas profesionales. Hemos dominado algunas
tecnologías básicas en el campo del producto y tenemos una serie de
derechos de propiedad intelectual independientes.
Nuestros productos se han vendido a muchas ciudades nacionales,
pero también muy popular entre muchos clientes extranjeros, como
Rusia, Estados Unidos, Corea del Sur, Vietnam, Suecia y así
sucesivamente.
Nuestros servicios
Nos mantenemos firmes en nuestro compromiso de garantizar un servicio de primera clase.
50W Nitruro de galio 28V CC a 4GHz Transistor de potencia RF GAN de alta movilidad de electrones
Carro de la investigación
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