Módulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación
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Evaluación de proveedor
Dongguan China
Dirección:
RM 708, Edificio A, No. 5, calle Keji No. 2, lago Songshan, Dongguan, República Popular China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 27 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
VCE bajo (sat)
Corriente de cortocircuito de 10 μs
Bajas pérdidas por cambio
Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo
Diodos de ruedas libres con baja caída de voltaje hacia adelante y recuperación suave
Paquete estándar industrial con placa base de cobre
Diagrama del circuito interno
Parámetros de las especificaciones
| Tipo de producto | VCES | VGES | IC | VCE (SAT) | (EON + EOFF) | TJ, el Sr. | Ptot | Circuito | Paquete | Tecnología |
| Voltios | Voltios | Amperios | Voltios | - ¿ Qué? | Vatio | |||||
| Se trata de un producto de la categoría "A" | Las demás: | ± 20 | 40A | 2.80V | 7.2 mJ | 150 °C | 250 W | 2 Envases | 34 mm | El TNP |
| Se aplicará el procedimiento siguiente: | Las demás: | ± 20 | 50A | 2.80V | 7.2 mJ | 150 °C | 285W | 2 Envases | ||
| Se aplicará el procedimiento siguiente: | Las demás: | ± 20 | Las demás: | 2.80V | 10.6 mJ | 150 °C | 395W | 2 Envases | ||
| Se trata de un producto de la familia de los derivados. | Las demás: | ± 20 | Las demás: | 3.10V | 13.4 mJ | 150 °C | 555W | 2 Envases | ||
| Se aplicará el procedimiento siguiente: | Las demás: | ± 20 | Las demás: | 2.80V | 17.0 mJ | 150 °C | 790 W | 2 Envases | ||
| Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. | Las demás: | ± 20 | 40A | 2.10V | 8.8mJ | 175 °C | 250 W | 2 Envases | En las trincheras | |
| Se aplican las siguientes condiciones: | Las demás: | ± 30 | 50A | 1.65V | 10.1 mJ | 175 °C | 285W | 2 Envases | ||
| Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. | Las demás: | ± 30 | Las demás: | 1.65V | 18.0 mJ | 175 °C | 395W | 2 Envases | ||
| Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. | Las demás: | ± 30 | Las demás: | 1.65V | 24.8mJ | 175 °C | 555W | 2 Envases | ||
| Se aplicará el procedimiento siguiente: | Las demás: | ± 20 | 40A | 2.10V | 8.4 mJ | 175 °C | 250 W | 2 Envases | En la zanja muy rápido. | |
| Se aplicará el procedimiento siguiente: | Las demás: | ± 20 | 50A | 2.25V | 9.4 mJ | 175 °C | 285W | 2 Envases | ||
| Se aplicará el procedimiento siguiente: | Las demás: | ± 20 | Las demás: | 2.00V | 14.0 mJ | 175 °C | 395W | 2 Envases | ||
| Se aplicará el procedimiento siguiente: | Las demás: | ± 20 | Las demás: | 1.90V | 19.5 mJ | 175 °C | 555W | 2 Envases | ||
| Se aplicará el procedimiento siguiente: | Las demás: | ± 20 | Las demás: | 1.90V | 27.8mJ | 175 °C | 790 W | 2 Envases |
Módulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación
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