Limpieza de obleas de silicio semiconductor - Limpieza alcalina/ácida por ultrasonido + enjuague con agua DI, 40KHz-80KHz, 60°C
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Número de modelo:Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Lugar de origen:Dongguan, Guangdong
Cantidad mínima de pedido:1
Capacidad de suministro:Una unidad, tardará de 30 a 60 días.
Tiempo de entrega:Entre 30 y 60 días hábiles
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Dongguan Guangdong China
Dirección:
2do Piso, Unidad 2, Edificio 16, No. 7, Avenida de la Ciencia y la Tecnología, Ciudad de Houjie, Ciudad de Dongguan, Provincia de Guangdong
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Introducción del Producto: Limpiador de Obleas de Silicio
Semiconductor
Diseñado específicamente para la fabricación de semiconductores,
este sistema de limpieza de precisión integra procesos ultrasónicos
de múltiples etapas para cumplir con los estrictos requisitos de
pureza de la superficie de las obleas de silicio, asegurando una
contaminación mínima de partículas y la eliminación de residuos,
fundamental para la fabricación de obleas.
Procesos de Limpieza Principales:
- Limpieza Ultrasónica Alcalina: Utiliza química alcalina combinada con energía ultrasónica para eliminar eficazmente contaminantes orgánicos, residuos de fotorresistente y partículas grandes de las superficies de las obleas, preparando los sustratos para el procesamiento posterior.
- Limpieza Ultrasónica Ácida: Se enfoca en impurezas inorgánicas (por ejemplo, iones metálicos, óxidos) a través de un tratamiento ultrasónico a base de ácido, aprovechando los efectos de cavitación para desalojar contaminantes submicrónicos incrustados en las texturas de las obleas o estructuras con patrones.
- Enjuague con Agua DI: La etapa final emplea agua desionizada de alta pureza para un enjuague a fondo, eliminando los agentes de limpieza residuales y asegurando la neutralidad de la superficie, un requisito previo para la manipulación y el procesamiento de obleas posteriores a la limpieza.
Especificaciones Técnicas:
- Frecuencia Ultrasónica: 40KHz-80KHz (ajustable multifrecuencia, optimizando la intensidad de cavitación para diferentes tipos de contaminación)
- Temperatura de Funcionamiento: 60℃ (entorno térmico controlado con precisión para mejorar la reactividad química y la eficiencia de limpieza)
- Compatibilidad de Materiales: Construido con componentes de PVDF, cuarzo y acero inoxidable 316L para resistir las químicas corrosivas y prevenir la contaminación secundaria.
Ventajas Clave:
- Logra una eficiencia de eliminación de partículas inferior a 10 nm, conforme a los estándares SEMI para el procesamiento avanzado de obleas
- La configuración ultrasónica multifrecuencia se adapta a diversos requisitos de limpieza (desde obleas desnudas hasta etapas de obleas con patrones)
- El control de temperatura de circuito cerrado garantiza la repetibilidad del proceso, fundamental para la consistencia de lote a lote
- Se integra perfectamente en las líneas de fabricación de front-end y back-end de semiconductores
Aplicación: Ideal para la limpieza de obleas de silicio en la
fabricación de circuitos integrados, la fabricación de MEMS y los
procesos de empaquetado de semiconductores, donde la integridad de
la superficie impacta directamente en el rendimiento y el
rendimiento del dispositivo.
Palabras clave: Limpiador de obleas de semiconductores, limpieza
ultrasónica alcalina/ácida, enjuague con agua DI, 40-80KHz, control
de temperatura de 60℃, procesamiento de obleas de silicio
Limpieza de obleas de silicio semiconductor - Limpieza alcalina/ácida por ultrasonido + enjuague con agua DI, 40KHz-80KHz, 60°C
Carro de la investigación
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