512k X 16 SRAM Chip IS62WV51216BLL-55TLI CMOS Baja tensión

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Lugar de origen:CN
Cantidad mínima de pedido:1
Capacidad de suministro:10000
Tiempo de entrega:5-8day
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: Sala E, piso 22, bloque B, edificio Duhui 100, subdistrito de Huaqiangbei, distrito de Futian, ciudad de Shenzhen
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Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
512K X 16 baja tensión de potencia muy baja CMOS Memoria de acceso aleatorio estático SRAM IS62WV51216BLL-55TLI
Especificaciones del producto
AtributoValor
Catálogo de productosMemoria > Memoria de acceso aleatorio estático (SRAM)
Embalaje universalEl TSOP-44
RoHSEl cumplimiento
Método de instalaciónInstalación de montaje en superficie
Temperatura de funcionamiento-40°C a 85°C
Grado de aplicaciónGrado industrial
Método de envasadopaletos
Válvulas de suministro de energía de trabajo2.5V
Organizaciones512 k x 16
Ancho del bus de datos16 bits
Tipo de interfazEn paralelo
Capacidad de almacenamiento8 Mb (512K x 16)
Corriente máxima de suministro5 mA
Voltagem máxima de la fuente de alimentación3.6V
Descripción del producto

512K x 16 de baja tensión de potencia muy baja CMOS Memoria de acceso aleatorio estático SRAM IS62WV51216BLL-55TLI

Características
  • Tiempo de acceso de alta velocidad: 45 ns, 55 ns
  • Función de bajo consumo CMOS: 36 mW (típico) en funcionamiento, 12 μW (típico) en modo de espera CMOS
  • Niveles de interfaz compatibles con el TTL
  • La fuente de alimentación única: 2,5 V a 3,6 V VDD (62WV51216BLL)
  • Funcionamiento totalmente estático: no se requiere reloj ni actualización
  • Resultados de tres estados
  • Control de datos para bytes superiores e inferiores
  • Temperatura industrial disponible
  • Disponible sin plomo

El ISSI IS62WV51216ALL/IS62WV51216BLL es una memoria RAM estática de 8M bits de alta velocidad organizada como 512K palabras por 16 bits.Este proceso de alta fiabilidad junto con técnicas innovadoras de diseño de circuitos da lugar a dispositivos de alto rendimiento y bajo consumo de energía.

Cuando CS1 es alto (deseleccionado) o cuando CS2 es bajo (deseleccionado) o cuando CS1 es bajo, CS2 es alto y tanto LB como UB son altos,el dispositivo asume un modo de espera en el que la disipación de energía puede reducirse con los niveles de entrada CMOS.

La expansión de memoria fácil se proporciona mediante el uso de las entradas Chip Enable y Output Enable.Un byte de datos permite el acceso de Byte superior (UB) y Byte inferior (LB).

El IS62WV51216ALL y el IS62WV51216BLL están empaquetados en el estándar JEDEC de mini BGA de 48 pines (7,2 mm x 8,7 mm) y TSOP de 44 pines (TIPO II).

Imágenes del producto
Embalaje y transporte
  • Embalaje estándar para la exportación
  • Los clientes pueden elegir entre cartones, cajas de madera y palets de madera según sus propios requisitos
Preguntas frecuentes
1¿Cómo obtener el precio?

Por lo general, citamos dentro de las 24 horas después de recibir su consulta (excepto los fines de semana y días festivos).por favor envíenos un correo electrónico o póngase en contacto con nosotros de cualquier otra manera para que podamos proporcionarle una cotización.

2¿Cuál es su plazo de entrega?

Esto depende de la cantidad del pedido y de la temporada en la que realice el pedido. Por lo general, podemos enviar las mercancías dentro de los 7 a 15 días (para lotes pequeños), y para lotes grandes,Se tarda unos 30 días.

3¿Cuáles son sus términos de pago?

Precio de fábrica, depósito del 30%, pago del 70% T/T antes del envío.

4¿Cuál es el modo de transporte?

Se puede transportar por mar, aire o entrega expresa (EMS, UPS, DHL, TNT, FEDEX, etc.).

5¿Cómo ayuda a nuestro negocio a establecer una buena relación a largo plazo?

Mantenemos buena calidad y precios competitivos para asegurar que nuestros clientes se beneficien. Respetamos a cada cliente como nuestro amigo. Hacemos negocios con ellos sinceramente y hacemos amigos con ellos,No importa de dónde vengan..

China 512k X 16 SRAM Chip IS62WV51216BLL-55TLI CMOS Baja tensión supplier

512k X 16 SRAM Chip IS62WV51216BLL-55TLI CMOS Baja tensión

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