Resistencia de chip de detección de corriente de 3W 2512 Resistencia SMD de alta potencia 470m Ohm

Descripción:Resistencia de chip de detección de corriente de metal, 2512, 0.47R(470mR), ±1%, 3W, KARMA, ±50PPM
Existencias:50000
Cantidad mínima de pedido:4000
Condiciones de pago:T/T
Nombre:Resistencia de chip de detección de corriente
fabricante:elon
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección: Piso 7, Bloque B, Edificio 9, Parque Científico y Tecnológico Baoneng, Carretera Qingxiang, Nuevo Distrito de Longhua, Shenzhen
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Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
EMA25F3W0R470KDG
Resistencia de chip metálico 2512 de 0,47 Ω (470 m Ohm) y 3 W

Precisión y potencia en la detección de corriente
En la electrónica moderna, donde la eficiencia y la precisión son primordiales, la resistencia de chip metálico 2512 de 0,47 Ω (470 m Ohm) y 3 W sirve como piedra angular de la ingeniería. Este componente de alta potencia y alta precisión ofrece un rendimiento confiable en condiciones exigentes con su valor de resistencia ultrabajo, una potencia nominal sustancial de 3 W y una construcción superior.
Especificaciones técnicas
ParámetroEspecificación
Valor de resistencia0,47Ω (470mΩ)
Tolerancia±1%
Clasificación de potencia3W
Tamaño del paquete2512
Coeficiente de temperatura (TCR)±50 ppm/°C
Material de resistenciaAleación de manganeso y cobre (KARMA)
Temperatura de funcionamiento-55°C a +170°C
Características clave
  • 2512 Tamaño del paquete:Las dimensiones de 3,9 mm * 2,0 mm permiten una disipación de calor eficiente para una potencia nominal de 3 W
  • 0,47 Ω (470 m ohmios):La resistencia ultrabaja minimiza la caída de voltaje para una medición de corriente precisa
  • Clasificación de potencia de 5 W:Adecuado para rutas de alta corriente en fuentes de alimentación, motores y sistemas de baterías.
  • 1% Tolerancia:Garantiza una medición de corriente consistente y precisa en todas las unidades.
Papel crítico de la EMA ultrabaja (0,47 m ohmios)
El ESR de 0,47 Ω (470 m Ohm) minimiza la pérdida de energía (P = I²R) y reduce la generación de calor con corrientes altas. Esta eficiencia lo hace ideal para maximizar la duración de la batería en vehículos eléctricos y mejorar los sistemas de conversión de energía.
Material y construcción superiores
La aleación Manganeso-Cobre (MnCu) proporciona:
  • Coeficiente de resistencia a baja temperatura (TCR) para un rendimiento estable en todos los rangos de temperatura
  • Excelente estabilidad a largo plazo contra la oxidación y la degradación.
  • EMF termoeléctrico mínimo cuando se conecta a trazas de PCB de cobre
Funciones de rendimiento mejoradas
  • Diseño de baja inductancia:Optimizado para aplicaciones de alta frecuencia sin distorsión de señal
  • Alta capacidad de sobrecorriente:Resiste sobrecargas transitorias para un rendimiento robusto del sistema
Áreas de aplicación
  • Electrónica automotriz: paquetes de baterías para vehículos eléctricos, controladores de motor, cargadores a bordo
  • Automatización industrial: módulos de E/S PLC, servovariadores, inversores de potencia
  • Telecomunicaciones y fuentes de alimentación para servidores: convertidores de alta eficiencia
  • Inversores solares y sistemas de almacenamiento de energía: monitorización de carga/descarga
Cumplimiento y Responsabilidad Ambiental
Totalmente compatible con las regulaciones RoHS y REACH, construido con materiales sin plomo para cumplir con los estándares ambientales globales.
Conclusión
La resistencia de chip de derivación metálica 2512 de 0,47 Ω (470 m Ohm) y 3 W combina una resistencia ultrabaja con una disipación de potencia robusta, una tolerancia del 1 % y una estabilidad excepcional. Su baja inductancia y alta resistencia a sobretensiones lo hacen ideal para aplicaciones exigentes de detección de corriente en los sectores automotriz, industrial y de energía renovable.
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Resistencia de chip de detección de corriente de 3W 2512 Resistencia SMD de alta potencia 470m Ohm

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